类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 2.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerTrench? TO-263（D2PAK）

FQ1347P06 采用了先进的 PowerTrench? 技术，优化了沟槽结构以降低导通电阻并提高热效率。这种设计使得该 MOSFET 在高电流应用中具有更低的功率损耗和更长的使用寿命。
　　其低 Rds(on) 特性显著减少了导通损耗，从而提高了电源系统的整体效率。此外，FQ1347P06 具有快速开关能力，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电池管理系统。
　　该器件的封装设计具备良好的散热性能，能够有效地将热量从芯片传导至散热器或 PCB 板上，从而确保在高负载条件下的稳定运行。其 TO-263 封装形式也便于在表面贴装工艺中使用，提高了生产效率。
　　FQ1347P06 还具备良好的短路耐受能力，在短时间内可以承受较大的过载电流，从而提高了系统的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），适用于多种驱动电路设计。

FQ1347P06 常用于多种高功率和高效率电子系统中，例如：
　　1. DC-DC 转换器：作为同步整流开关或主开关，提升转换效率；
　　2. 电源管理系统：用于电池充放电控制、负载切换等场景；
　　3. 电机驱动：作为 H 桥或半桥结构中的开关元件；
　　4. 工业自动化：用于 PLC、伺服驱动器、变频器等设备的电源模块；
　　5. 电源适配器与充电器：作为高效率开关元件，提高能量转换率；
　　6. 汽车电子：如车载充电系统、DC-DC 转换模块等。

FDP1347P06, FQA1347P06, IRF1347PbF