时间：2025/6/14 17:36:30
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PSMN035-150是Nexperia（原飞利浦半导体）生产的MOSFET晶体管，属于Power MOSFET系列。该器件采用DPAK封装，适用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用领域。PSMN035-150是一款P沟道增强型MOSFET，其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高性能电路的理想选择。
该器件在各种电子设备中被广泛使用，特别是在需要高效功率转换和开关操作的应用中。
类型：P沟道增强型MOSFET
最大漏源电压VDS：-100V
最大栅源电压VGS：±20V
最大漏极电流ID：-4.6A（25°C，脉冲）
导通电阻RDS(on)：1.7Ω（最大值，在VGS=-10V时）
功耗PD：18W（Tc=25°C）
结温范围TJ：-55°C至175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
PSMN035-150具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于降低功率损耗，提高效率。
2. 高雪崩能量能力，确保在过载或短路条件下有更好的鲁棒性。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 良好的热性能，支持更高的功率密度。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 可靠性高，适合工业和汽车级应用环境。
PSMN035-150适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC/DC转换器中的开关元件。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 汽车电子中的电源管理与切换。
PSMN036-150B, PSMN040-150, PSMN042-150
