时间：2025/7/1 23:30:02
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PSMN028-100YS 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Nexperia 的 PSMN 系列。该器件采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效能功率管理的场景。
PSMN028-100YS 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在较低的工作电压下提供出色的性能表现，同时其紧凑的封装设计使其非常适合于空间受限的应用场合。
型号：PSMN028-100YS
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：SO-8
Vds（漏源极电压）：100 V
Rds(on)（导通电阻）：4.5 mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（持续漏电流）：47 A
功耗：160 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷：39 nC（典型值）
输入电容：1800 pF（典型值）
PSMN028-100YS 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 时仅为 4.5 mΩ，这有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，最大漏电流 Id 可达 47A，适合用于大功率应用。
3. 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保其在极端环境条件下仍能稳定运行。
4. 超低栅极电荷和快速开关速度，能够有效减少开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 采用标准 SO-8 封装，便于安装和焊接，同时具备良好的散热性能。
PSMN028-100YS 常见的应用领域包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 各种类型的 DC-DC 转换器，如降压、升压或升降压转换器。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED 照明驱动电路。
PSMN029-100YS, PSMN032-100YS, FDP5500
