时间：2025/9/15 2:40:18
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PSMN027-100PS 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于需要高效功率管理的应用。PSMN027-100PS 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，提供良好的热性能和电气性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：140A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：2.7mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：4.2mΩ
功率耗散（Ptot）：90W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN027-100PS 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻，在 Vgs=10V 时 Rds(on) 仅为 2.7mΩ，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，该 MOSFET 支持高达 140A 的连续漏极电流，具备出色的电流处理能力，适用于高功率应用。
采用 LFPAK56 封装形式，PSMN027-100PS 提供了良好的热管理和电气连接性能。该封装具有较低的热阻（Rth），确保器件在高功耗情况下仍能保持较低的工作温度，从而提高可靠性和寿命。同时，该封装也支持双面散热，进一步增强散热效果。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，支持常见的 10V 和 4.5V 驱动电压，兼容多种栅极驱动器方案。在 Vgs=4.5V 时，其 Rds(on) 仍保持在较低的 4.2mΩ，使其适用于低压驱动应用，如汽车电子和电池管理系统。
PSMN027-100PS 具备优良的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态电压冲击下的稳定性和可靠性。此外，该器件符合 RoHS 标准，适用于环保和工业应用。
PSMN027-100PS 适用于多种高功率、高效率的电子系统。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备和电源管理模块等。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统、电池保护电路等场合。其高电流能力和良好的热性能使其在高温环境下仍能稳定运行，满足汽车电子的严苛要求。
由于其封装形式支持表面贴装工艺（SMD），PSMN027-100PS 也适用于自动化生产和高密度 PCB 设计。其优异的电气特性使其成为高效率电源转换系统中的理想选择。
SiSS148NQ, BSC140N10NS5AG, IPB027N10N3 G, Infineon OptiMOS? 系列中的 BSC140N10NS5AG 和 STMicroelectronics 的 STD140N10F7AG 等型号可作为替代选项，具体需根据应用需求进行匹配和验证。
