类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：2.5A
　　导通电阻(Rds(on))：120mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：180mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散(Pd)：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP（6 引脚）

CS1A221M-CRE77 的核心优势在于其出色的导通性能与高效的开关特性。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其导通电阻显著降低，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。在 4.5V 的栅极驱动电压下，其 Rds(on) 低至 120mΩ，而在 2.5V 栅极驱动下也能保持 180mΩ 的较低水平，这使其适用于低电压驱动电路，如由微控制器或数字逻辑电路直接控制的系统。
　　此外，CS1A221M-CRE77 的最大漏极电流为 2.5A，足以满足大多数中低功率应用的需求。其最大漏源电压为 20V，确保在多种电源电压下稳定运行，同时具备一定的过压保护能力。该器件的栅极驱动电压范围为 ±12V，具有较强的抗干扰能力和稳定性。
　　从封装角度来看，CS1A221M-CRE77 采用 TSOP（Thin Small Outline Package）6 引脚封装，体积小巧，适用于高密度 PCB 设计。这种封装形式也具备良好的热管理性能，能够在有限的空间内有效散热，从而提升器件的长期可靠性。
　　综合来看，CS1A221M-CRE77 是一款适用于高效能、小体积功率控制应用的 MOSFET 器件，其低导通电阻、高开关速度以及紧凑的封装设计使其成为现代电源管理系统的理想选择。

CS1A221M-CRE77 主要应用于以下领域：1. 电源管理系统，如 DC-DC 转换器、稳压器及负载开关；2. 电池供电设备中的功率控制，如便携式电子产品、智能穿戴设备和物联网（IoT）设备；3. 马达控制和继电器替代方案，适用于小型电机驱动系统；4. 通用开关电路和数字控制电路，特别是在需要低电压驱动的嵌入式系统中。由于其紧凑的封装形式，该器件也非常适合高密度 PCB 设计和对空间要求较高的应用。

Si2302DS, AO3400A, FDS6675, BSS138