时间：2025/9/14 9:08:13
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PSMN027-100BS,118 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理系统。该器件设计用于在高频率下工作，具有低导通电阻和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：80A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：2.7mΩ
栅极电压（VGS）：10V
功率耗散（Ptot）：160W
封装类型：LFPAK56
PSMN027-100BS,118 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为2.7mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该MOSFET采用了Nexperia的LFPAK56封装技术，具有优异的热管理性能，能够有效散热，从而在高功率密度设计中表现出色。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的整体效率。
PSMN027-100BS,118 还具有高雪崩能量耐受能力，增强了其在严苛环境下的可靠性。
由于其封装设计为无引脚结构，该器件在PCB上的安装非常稳固，减少了热膨胀引起的机械应力，提高了长期工作的稳定性。
PSMN027-100BS,118 适用于多种高功率和高效率的应用场景。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器和工业自动化设备中的功率控制电路。
在DC-DC转换器中，该MOSFET能够高效地进行电压转换，支持高频率开关操作，从而减小外部元件的尺寸和重量。
作为负载开关，PSMN027-100BS,118 能够快速切断高电流负载，保护系统免受过载或短路的影响。
在电机控制应用中，其低导通电阻和高电流能力使其成为驱动大功率直流电机的理想选择。
此外，该器件还可用于服务器电源、电信设备和可再生能源系统，如太阳能逆变器等。
IPB027N10N3, INF100N04S13N08, PSMN027-100BSE,118
