时间：2025/9/14 15:28:26
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PSMN026-80YS,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件适用于各种高功率应用，如电源转换、DC-DC转换器、负载开关和电机控制。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），具有良好的热性能和高功率密度，非常适合空间受限的设计。PSMN026-80YS,115的漏源电压（VDS）为80V，漏极电流（ID）在25°C下可达150A，并具有较高的栅极阈值电压和优良的开关性能。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：80V
漏极电流(ID)@25°C：150A
漏极电流(ID)@100°C：97A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：最大2.6mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th))：2.6V~4V
工作温度范围：-55°C~175°C
封装：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN026-80YS,115 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的TrenchMOS技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了效率。其低导通电阻使其适用于高电流和高功率的应用，如电源转换器、DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制电路。该器件的封装形式为LFPAK56，具有出色的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
此外，PSMN026-80YS,115具有较高的栅极阈值电压（2.6V~4V），增强了其在噪声环境中的稳定性，降低了误触发的风险。该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适用于各种严苛的工业环境。其±20V的栅源电压能力也提高了器件在高压开关应用中的可靠性。
该器件的高电流能力和良好的开关特性使其成为高效电源管理和功率控制的理想选择。无论是在汽车电子、工业自动化还是消费类电子产品中，PSMN026-80YS,115都能提供稳定、高效的性能。
PSMN026-80YS,115 主要用于需要高效率和高功率密度的场合，如DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关、电机驱动器、电池充电器、逆变器和工业控制设备。由于其优异的电气性能和高可靠性，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及各种车载电源转换模块。
PSMN027-80YSC,115; PSMN031-80YSC,115; PSMN035-80YSC,115
