时间：2025/9/14 15:36:21
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PSMN025-80YLX 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于多种功率转换和管理应用。PSMN025-80YLX采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备良好的热性能和高可靠性，适用于需要高效能和高稳定性的电路设计。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及负载开关等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：160A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：2.5mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：3.6mΩ
功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN025-80YLX具备多项优异特性，首先其采用了Nexperia的先进Trench技术，使其在80V耐压下仍具有极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动下仅为2.5mΩ，4.5V驱动下也仅3.6mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了系统效率。
其次，该器件采用LFPAK56封装，这种封装技术具有优异的热传导性能，能够有效降低封装热阻，提高散热效率，从而提升器件在高电流下的稳定性和可靠性。此外，该封装具有低电感设计，有助于减少开关损耗并提高高频性能。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动电压，使其适用于多种驱动电路，包括使用3.3V或5V控制器的应用场景。
PSMN025-80YLX还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下提供更高的鲁棒性，确保系统在异常情况下的稳定性。
最后，该MOSFET符合RoHS标准，无卤素，符合现代电子产品对环保材料的要求。
PSMN025-80YLX适用于多种高功率和高效率要求的应用场景。常见应用包括同步整流DC-DC降压和升压转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率电源转换系统中表现出色，尤其是在高频率开关应用中能够有效降低导通损耗，提高整体能效。
由于其优异的热性能和封装设计，PSMN025-80YLX也适用于空间受限但需要高功率密度的设计，例如服务器电源、电信设备电源、电动汽车充电模块以及储能系统中的功率控制模块。
PSMN035-80YLC, PSMN045-80YLC, PSMN025-80YLC, IPD90N8S06L, IPP075N8S06L
