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PSMN025-80YLX 发布时间 时间:2025/9/14 15:36:21 查看 阅读:26

PSMN025-80YLX 是一款由Nexperia(安世半导体)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench工艺制造,具备低导通电阻(Rds(on))和高功率密度,适用于多种功率转换和管理应用。PSMN025-80YLX采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具备良好的热性能和高可靠性,适用于需要高效能和高稳定性的电路设计。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及负载开关等场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):80V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id)@25°C:160A
  导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V:2.5mΩ
  导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V:3.6mΩ
  功耗(Ptot):150W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:LFPAK56(Power-SO8)

特性

PSMN025-80YLX具备多项优异特性,首先其采用了Nexperia的先进Trench技术,使其在80V耐压下仍具有极低的导通电阻(Rds(on)),在10V栅极驱动下仅为2.5mΩ,4.5V驱动下也仅3.6mΩ,这大大降低了导通损耗,提高了系统效率。
  其次,该器件采用LFPAK56封装,这种封装技术具有优异的热传导性能,能够有效降低封装热阻,提高散热效率,从而提升器件在高电流下的稳定性和可靠性。此外,该封装具有低电感设计,有助于减少开关损耗并提高高频性能。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至10V之间的驱动电压,使其适用于多种驱动电路,包括使用3.3V或5V控制器的应用场景。
  PSMN025-80YLX还具有良好的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压情况下提供更高的鲁棒性,确保系统在异常情况下的稳定性。
  最后,该MOSFET符合RoHS标准,无卤素,符合现代电子产品对环保材料的要求。

应用

PSMN025-80YLX适用于多种高功率和高效率要求的应用场景。常见应用包括同步整流DC-DC降压和升压转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统(BMS)、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率电源转换系统中表现出色,尤其是在高频率开关应用中能够有效降低导通损耗,提高整体能效。
  由于其优异的热性能和封装设计,PSMN025-80YLX也适用于空间受限但需要高功率密度的设计,例如服务器电源、电信设备电源、电动汽车充电模块以及储能系统中的功率控制模块。

替代型号

PSMN035-80YLC, PSMN045-80YLC, PSMN025-80YLC, IPD90N8S06L, IPP075N8S06L

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PSMN025-80YLX参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥7.39000剪切带(CT)1,500 : ¥3.14795卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)37A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17.1 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2703 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)95W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669