工作频率：2.7 GHz - 3.5 GHz
　　输出功率：100 W（脉冲模式）
　　增益：17 dB
　　效率（PAE）：≥55%
　　输入驻波比（VSWR）：≤2.5:1
　　工作电压：+28 V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　尺寸：14.5 mm x 11.5 mm x 2.5 mm

TGA4548-SM 的核心优势在于其基于 GaN 技术的高功率密度和高效率特性，适用于高要求的射频功率放大应用。
　　首先，TGA4548-SM 在 2.7 GHz 至 3.5 GHz 的频率范围内工作，适合 L 波段和 S 波段的多种应用，包括军用雷达、商业通信系统和测试设备。其输出功率可达 100 W 脉冲功率，适用于需要高功率输出的系统设计。
　　其次，该放大器的增益典型值为 17 dB，确保在有限的级联级数下实现高增益放大。同时，其漏极效率（PAE）超过 55%，这意味着在提供高输出功率的同时保持较低的功耗，从而减少散热需求并提高系统可靠性。
　　该芯片采用表面贴装封装，便于自动化装配，同时具备良好的热管理和机械稳定性。其输入驻波比（VSWR）小于等于 2.5:1，说明其输入匹配良好，有助于减少信号反射并提高整体系统的稳定性。
　　此外，TGA4548-SM 的设计支持高线性度操作，使其适用于需要高信号完整性的应用，例如现代通信系统中的数字调制信号放大。

TGA4548-SM 主要用于高性能射频系统中的功率放大模块设计。
　　在军事领域，该器件广泛应用于 X 波段雷达、电子战系统和通信中继设备。其高输出功率和高效率特性使其成为高功率雷达发射机的理想选择。
　　在商业应用方面，TGA4548-SM 可用于卫星通信、无线基础设施（如 5G 基站）和测试测量设备。例如，在 5G 毫米波通信系统中，该放大器可作为中继器或基站前端的高功率放大器，提升信号传输距离和系统覆盖范围。
　　此外，该芯片也可用于工业和医疗设备中的射频能量传输系统，如射频加热或等离子体发生装置。其高稳定性和耐高温能力使其在恶劣环境中仍能保持良好性能。

TGA4546-SM, TGA4549-SM