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PSMN022-30BL,118 发布时间 时间:2025/9/14 9:35:34 查看 阅读:31

PSMN022-30BL,118 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频开关应用而设计,适用于电源管理和功率转换系统。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,能够在较高的工作温度下稳定运行。PSMN022-30BL,118 采用无铅封装技术,符合 RoHS 环保标准。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):30 V
  栅源电压(Vgs):±20 V
  漏极电流(Id):120 A(在 Tc=25°C)
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:PowerSO-10 封装
  导通电阻 Rds(on):最大 2.2 mΩ(在 Vgs=10V)
  功率耗散(Ptot):120 W
  栅极电荷(Qg):100 nC(典型值)
  输入电容(Ciss):2400 pF(典型值)

特性

PSMN022-30BL,118 具有多个显著的技术特性,使其适用于各种高功率、高效率的电子系统。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))确保了在大电流工作条件下具有较小的导通损耗,提高了整体能效。其次,该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,优化了电场分布,提高了开关速度,同时减少了开关损耗,适用于高频开关应用。此外,PSMN022-30BL,118 支持高达 120A 的漏极电流,在高温环境下仍能保持稳定运行,表现出良好的热稳定性和耐用性。该器件的 PowerSO-10 封装不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,适用于紧凑型功率模块设计。由于其无铅封装工艺和符合 RoHS 标准,该 MOSFET 在环保性能上也达到了行业要求。综合来看,PSMN022-30BL,118 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机控制和电源管理系统等领域。

应用

PSMN022-30BL,118 主要应用于需要高效能功率开关的电子系统中。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器以及高功率密度电源模块。在服务器电源、电信设备、工业控制系统以及汽车电子系统中,PSMN022-30BL,118 可作为主功率开关或同步整流器件使用,显著提高系统效率并降低功耗。此外,由于其优异的导通特性和热性能,该器件也适用于需要高可靠性和长寿命的工业和汽车级应用。在便携式设备和高功率 LED 照明系统中,PSMN022-30BL,118 同样可以作为高效能功率控制器件使用。

替代型号

PSMN023-30PL,118; PSMN031-30PL,118; SQJA40EP-T2-GE3; IPP045N10N3G

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PSMN022-30BL,118参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22.6 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.15V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds447pF @ 15V
  • 功率 - 最大41W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-9487-6