时间：2025/9/14 9:35:34
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PSMN022-30BL,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，适用于电源管理和功率转换系统。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。PSMN022-30BL,118 采用无铅封装技术，符合 RoHS 环保标准。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
漏极电流（Id）：120 A（在 Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10 封装
导通电阻 Rds(on)：最大 2.2 mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：120 W
栅极电荷（Qg）：100 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2400 pF（典型值）
PSMN022-30BL,118 具有多个显著的技术特性，使其适用于各种高功率、高效率的电子系统。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流工作条件下具有较小的导通损耗，提高了整体能效。其次，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电场分布，提高了开关速度，同时减少了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，PSMN022-30BL,118 支持高达 120A 的漏极电流，在高温环境下仍能保持稳定运行，表现出良好的热稳定性和耐用性。该器件的 PowerSO-10 封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适用于紧凑型功率模块设计。由于其无铅封装工艺和符合 RoHS 标准，该 MOSFET 在环保性能上也达到了行业要求。综合来看，PSMN022-30BL,118 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机控制和电源管理系统等领域。
PSMN022-30BL,118 主要应用于需要高效能功率开关的电子系统中。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器以及高功率密度电源模块。在服务器电源、电信设备、工业控制系统以及汽车电子系统中，PSMN022-30BL,118 可作为主功率开关或同步整流器件使用，显著提高系统效率并降低功耗。此外，由于其优异的导通特性和热性能，该器件也适用于需要高可靠性和长寿命的工业和汽车级应用。在便携式设备和高功率 LED 照明系统中，PSMN022-30BL,118 同样可以作为高效能功率控制器件使用。
PSMN023-30PL,118; PSMN031-30PL,118; SQJA40EP-T2-GE3; IPP045N10N3G
