时间：2025/9/14 21:17:56
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PSMN021-100YLX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench MOS 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。该器件广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等应用。PSMN021-100YLX 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有高功率密度和良好的散热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）@25°C：21A
导通电阻 Rds(on) @Vgs=10V：最大 21mΩ
栅极阈值电压 Vgs(th)：1V ~ 2.5V
最大功率耗散 @25°C：58W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN021-100YLX 的核心优势在于其低导通电阻和高电流处理能力，这使其在高效率电源系统中表现出色。该器件采用了 Nexperia 的高性能沟槽 MOSFET 技术，使得在导通状态下电压降非常低，从而减少了导通损耗。此外，LFPAK56 封装具备双面散热能力，能够显著提升热性能，使器件在高负载条件下保持稳定运行。
该 MOSFET 还具有出色的雪崩能量耐受能力，增强了器件在开关过程中对瞬态电压的抵抗能力。这种特性对于需要频繁开关操作的系统（如 DC-DC 转换器和马达控制电路）尤为重要。PSMN021-100YLX 的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 到 20V 之间工作，因此可以兼容多种驱动电路设计，包括低压微控制器和专用驱动 IC。
此外，该器件具有较低的输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并降低开关损耗。这使得 PSMN021-100YLX 非常适合用于高频开关应用，如同步整流、多相电源模块等。
PSMN021-100YLX 广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：
? 高效率 DC-DC 转换器和同步整流器
? 电池管理系统和负载开关控制
? 服务器和通信设备电源模块
? 电动工具和无刷直流电机驱动
? 工业自动化和控制系统的功率开关
? 笔记本电脑和移动设备电源管理电路
PSMN023-100DLX, PSMN022-100YLC, BSC022N10NS5
