PSMN020-30MLC 是一款由 NXP Semiconductors 生产的功率 MOSFET,属于高性能、低电阻的功率开关器件。这款器件主要设计用于高效率的电源转换应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等。PSMN020-30MLC 采用先进的 TrenchMOS 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。该器件采用 LFPAK56(也称为 Power-SO8)封装,具备良好的热性能和电流能力,同时支持表面贴装工艺(SMT),适合大规模生产。
类型:功率 MOSFET
制造商:NXP Semiconductors
型号:PSMN020-30MLC
封装类型:LFPAK56(Power-SO8)
漏源电压(Vds):30V
最大连续漏极电流(Id):100A(在 Vgs=10V)
Rds(on)(最大值):2.0mΩ(在 Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):30nC
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
PSMN020-30MLC 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 2.0mΩ,这使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件采用先进的 TrenchMOS 技术,使得沟道结构更紧凑,提高了载流能力和热稳定性。
PSMN020-30MLC 的 LFPAK56 封装形式是一种双面散热的功率封装,具备优异的热管理和电流承载能力。相比传统的 TO-220 或 DPAK 封装,LFPAK56 更适合表面贴装技术(SMT),有助于实现更小的 PCB 面积占用和更高的生产效率。
该器件还具备出色的短路和过热耐受能力,在高应力工作条件下仍能保持稳定性能。此外,PSMN020-30MLC 的栅极电荷(Qg)为 30nC,支持快速开关操作,从而减少开关损耗,适用于高频开关电源和同步整流电路。
其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C,表现出良好的温度适应性,适用于汽车电子、工业控制和通信电源等高温环境应用。
PSMN020-30MLC 主要用于高效率电源系统,如服务器电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制器和电池管理系统(BMS)。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件特别适合用于同步整流器、负载点(POL)电源、电信设备电源模块以及车载电子系统。
在服务器和数据中心应用中,PSMN020-30MLC 可用于提高电源转换效率并减少热量产生。在汽车电子领域,该器件适用于电池管理系统(BMS)中的高侧或低侧开关,支持高能量密度电池(如锂离子电池)的安全充放电管理。此外,它也广泛用于工业自动化设备、不间断电源(UPS)以及高功率 LED 驱动器等应用场景。
PSMN020-30PLC, PSMN030-30MLC, PSMN018-30PLC