时间：2025/9/14 22:31:38
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PSMN018-100PSFQ是一款由Nexperia（原飞利浦半导体业务）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench肖特基（TrenchSchottky）技术，具备低导通电阻、高开关效率和优异的热稳定性。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及高效率电源系统中。PSMN018-100PSFQ采用Power-SO8（也称为PSSO8或LFPAK）封装，具备优良的散热性能和紧凑的尺寸，适用于高密度PCB设计。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：180A（在25°C下）
导通电阻(Rds(on))：最大1.8mΩ（典型值1.6mΩ）
功率耗散(Pd)：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：Power-SO8 / LFPAK
PSMN018-100PSFQ的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用了Nexperia的Trench肖特基技术，使得其在高频开关应用中表现出色，同时降低了开关损耗。
该MOSFET的Power-SO8封装具备双面散热能力，提高了热性能并允许在高功率密度设计中使用。此外，该封装采用无引脚设计，增强了封装的机械稳定性，并降低了PCB上的空间占用。
PSMN018-100PSFQ具有高雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的应用场景，如汽车电子、工业电源和服务器电源系统。其宽工作温度范围使其在高温环境下仍能保持稳定性能。
此外，该器件符合RoHS标准，具备无卤素环保特性，适合现代绿色电子产品的设计需求。
PSMN018-100PSFQ主要应用于高效率电源转换系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动器等。由于其高电流能力和低导通电阻，它在服务器电源、电信设备电源和工业自动化设备中被广泛使用。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及车载DC-DC转换器模块。其高可靠性和优异的热性能使其在严苛的汽车环境中表现良好。
此外，该器件也适用于功率因数校正（PFC）电路、高功率LED驱动器以及高密度电源模块设计。在需要高效率和小尺寸封装的现代电源系统中，PSMN018-100PSFQ是一个理想的高性能选择。
SiR142DP-T1-GE3, BSC018N04LS5AG, IPB018N10N3 G
