时间：2025/9/14 23:14:01
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PSMN017-80PS是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高开关性能和良好的热稳定性。PSMN017-80PS封装为LFPAK56（也称为Power-SO8），这种封装形式具备优异的散热性能和较小的封装尺寸，使其适用于紧凑型设计和高功率密度应用。该MOSFET常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：170A
导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值）
功率耗散（Ptot）：94W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN017-80PS具备多项优异特性，首先其采用Trench沟槽技术，使得导通电阻非常低，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。在高电流应用中，低Rds(on)有助于减少发热，提高整体可靠性。
其次，该器件具有高电流承载能力，在25°C条件下可承受高达170A的连续漏极电流，适用于高功率输出场景。此外，该MOSFET具备优异的热性能，LFPAK56封装提供了良好的散热路径，使得器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。
PSMN017-80PS还具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了其在复杂驱动环境下的可靠性，适用于各种栅极驱动电路。其封装形式符合RoHS环保标准，适用于自动化生产和回流焊工艺。
该MOSFET具备优异的开关性能，能够支持高频开关应用，降低开关损耗，提高电源转换效率。其快速开关特性适用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动等应用。此外，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在高能瞬态条件下的稳定性。
PSMN017-80PS广泛应用于多个高功率和高效率需求的电子系统中。在电源管理领域，该MOSFET常用于同步整流型DC-DC转换器、负载开关、ORing电路以及高侧/低侧开关电路。其高电流能力和低导通电阻使其成为服务器电源、电信设备电源和工业控制电源的理想选择。
在电机控制方面，PSMN017-80PS可用于H桥驱动电路和电机驱动模块，提供高效的功率切换能力，确保电机运行的稳定性和效率。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），作为高电流开关用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载DC-DC转换器、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器等应用，满足汽车系统对高可靠性和高效率的要求。
由于其紧凑的LFPAK56封装和优异的热性能，该器件也适用于空间受限的便携式设备和高密度功率模块设计。
IRF170N8S、BSC017N08NS5、PSMN022-80PS、SQJQ170EP
