时间：2025/5/8 12:10:44
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PTVSHC3N24VU 是一款 N 沣道沟增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由英飞凌（Infineon）生产。该器件采用先进的沟道技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
该芯片通过优化的封装设计和电气性能，能够提供更高的功率密度和更小的解决方案尺寸。此外，其出色的热性能和可靠性使其在各种工业及消费类电子设备中表现出色。
型号：PTVSHC3N24VU
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：24 V
RDS(on)（导通电阻）：1.7 mΩ（典型值，@ VGS=10V）
IDS（连续漏极电流）：168 A
PD（总功耗）：135 W
VGS（栅源电压）：±20 V
f（工作频率）：支持高频操作
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PTVSHC3N24VU 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，最大支持 168A 的连续漏极电流，满足高功率应用需求。
3. 采用 TO-Leadless 封装，具备出色的散热性能和更小的占板面积。
4. 工作温度范围宽广，适应极端环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 提供优异的抗 ESD 性能，确保长期稳定运行。
7. 支持高频开关操作，适用于现代高效功率转换电路。
8. 经过严格的测试和验证流程，保证高质量和高可靠性。
PTVSHC3N24VU 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动工具和其他便携式设备的电池管理系统。
7. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。
由于其高性能和可靠性，PTVSHC3N24VU 成为众多高效率、高功率密度设计的理想选择。
BSC017N24NS5, IPD120N25S4L
