时间：2025/9/14 12:04:57
阅读：18
PSMN017-80PS,127是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能功率MOSFET器件，采用先进的Trench肖特基技术制造。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。PSMN017-80PS,127采用小型化的LFPAK56封装，提供优异的热性能和电气性能，适合高密度和高效率的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
漏极电流（ID）：17A
导通电阻（RDS(on)）：17mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.7V
封装形式：LFPAK56
工作温度范围：-55°C至175°C
PSMN017-80PS,127具有多项卓越的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的高电流处理能力（17A）使其适用于高功率密度的设计，如同步整流器、DC-DC转换器和负载开关。
其次，PSMN017-80PS,127采用Nexperia的LFPAK56封装，具有出色的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定的工作温度。此外，该封装形式支持双面散热，进一步提升热管理能力，适用于高可靠性要求的应用场景。
该MOSFET还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提升系统的稳定性和耐用性。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
PSMN017-80PS,127的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于极端环境下的工业和汽车应用。其封装工艺也符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。
PSMN017-80PS,127广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 电源管理系统：如AC-DC适配器、DC-DC转换器和负载开关，利用其低导通电阻和高电流能力提升效率。
2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备，用于高效能的电源管理和电池保护电路。
3. 工业自动化：用于电机驱动、PLC模块和工业电源，提供高可靠性和稳定的功率输出。
4. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）和DC-DC转换器，满足汽车环境下的高可靠性和宽温工作需求。
5. 服务器和通信设备：用于高密度电源模块和散热要求较高的系统，实现高效的能量转换。
PSMN023-80PS,127; PSMN017-80YSC,127
