时间：2025/9/14 12:45:22
阅读：7
PSMN017-80BS,118 是由 NXP（恩智浦）生产的一款高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用增强型 N 沟道结构。该器件专为高效率、高功率密度的开关应用而设计，适用于诸如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。PSMN017-80BS 的设计优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗之间的平衡，从而在高频操作下依然保持优异的性能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：170 A
最大漏源电压（Vds）：80 V
导通电阻（Rds(on)）：1.7 mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：230 nC（典型值）
封装形式：PowerSO-10
PSMN017-80BS,118 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并减少发热。该器件的栅极电荷较低，支持快速开关操作，从而减少了开关损耗，提高了整体能效。此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，进一步优化了热性能和电气性能。
其封装形式 PowerSO-10 提供了良好的热管理和空间效率，便于在紧凑型设计中使用。该封装还具有较高的机械稳定性和热循环耐受性，适用于工业级工作环境。PSMN017-80BS,118 的工作温度范围宽，通常在 -55°C 至 +175°C 之间，确保其在高温环境下的稳定运行。
此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护。其栅极氧化层设计增强了抗静电能力和长期可靠性，适用于高要求的汽车电子和工业控制系统。
PSMN017-80BS,118 主要应用于需要高电流处理能力和高效能的电力电子系统。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具和电机驱动器。在服务器电源和电信电源系统中，该 MOSFET 常用于高效率的同步整流拓扑结构中，以提高整体能效并减少热量产生。
在汽车电子领域，PSMN017-80BS 可用于车载充电系统、DC-DC 转换模块以及车身控制系统中的大电流负载开关。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于恶劣环境条件下的工业设备，如工业电机控制、自动化系统和高功率 LED 照明驱动器。
此外，该器件也可用于高性能电源管理单元（PMU），为多路输出电源系统提供高效的功率开关解决方案。
SiZ170DT, IRLB8721, IPW90R120C3, FDP170N80F
