时间：2025/9/15 3:06:27
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PSMN017-60YS是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的功率应用。该MOSFET的漏源电压（VDS）为60V，最大漏极电流（ID）可达80A，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及电池供电系统等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：80A（在Tc=25°C时）
导通电阻(RDS(on))：最大1.7mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散(PD)：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：Power-SO8
PSMN017-60YS具备极低的导通电阻（RDS(on)），显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。
其先进的沟槽（Trench）MOS技术不仅优化了导通性能，还增强了热管理和散热能力，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET采用Power-SO8封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的焊接可靠性和可制造性。
其高栅极电压容限（±20V）增强了抗电压波动能力，提高了在复杂电源环境中的稳定性与安全性。
PSMN017-60YS符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。
此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，适用于需要频繁开关或存在感性负载的应用场合，如H桥电机驱动、开关电源和负载开关等。
得益于其优异的热性能，PSMN017-60YS在高温环境下仍能维持较高的电流承载能力，降低了对散热器或额外冷却措施的依赖，从而简化了系统设计并降低了整体成本。
PSMN017-60YS广泛应用于多个高性能功率管理领域。在DC-DC转换器中，它可作为高侧或低侧开关，提供高效的能量转换效率，适用于服务器电源、电信设备和工业电源模块。
在电机控制领域，该MOSFET适用于H桥驱动电路，能够驱动直流电机、步进电机等负载，广泛用于自动化设备、机器人和电动工具。
作为负载开关，PSMN017-60YS可用于电池管理系统、电源分配单元（PDU）和热插拔电路中，实现对负载的快速通断控制，提高系统的安全性和可靠性。
此外，该器件也适用于同步整流电路、同步降压/升压转换器、LED驱动器和电源管理单元（PMU），满足各种高效率、高功率密度的设计需求。
在汽车电子应用中，PSMN017-60YS可用于车载充电器、DC-DC变换器、车身控制模块等，凭借其优异的热性能和高可靠性，确保在严苛环境下的稳定运行。
SiSS170N06, SQJQ170EP, IPB017N06N3
