2SK4070-ZK-E1-AY 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于高功率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该型号是东芝(Toshiba)生产的增强型场效应晶体管,具备低导通电阻和高速开关特性。
此型号特别适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费电子领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源极耐压(Vdss):150V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):2.6mΩ
栅极电荷(Qg):88nC
输入电容(Ciss):4000pF
最大功耗(Ptot):200W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247
2SK4070-ZK-E1-AY 的主要特点是其极低的导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力。这使得它在大功率应用中能够显著降低导通损耗并提高效率。
同时,该器件具备快速开关速度和良好的热稳定性,确保在高频运行时仍保持高可靠性。
此外,该型号采用 TO-247 封装,提供优秀的散热性能,非常适合要求苛刻的工作环境。
它的栅极阈值电压较低,便于与逻辑电平驱动器兼容,简化了电路设计。
该芯片广泛应用于各种高功率场合,包括但不限于以下领域:
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动和控制
- 太阳能逆变器
- 电动车控制器
- 工业自动化设备中的功率转换模块
由于其卓越的电气特性和可靠性,2SK470-ZK-E1-AY 成为许多高功率系统的首选元件。
2SK4069, IRF840, STP30NF15