时间：2025/9/14 2:14:31
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PSMN017-30BL,118是一款由Nexperia（原恩智浦标准产品部门）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能。其采用TSON（Thin Small Outline No-lead）封装，有助于在紧凑空间内实现高功率密度。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等领域。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：170A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：1.7mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：2.6mΩ
功率耗散（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TSON10
PSMN017-30BL,118是一款高性能功率MOSFET，其主要特性包括非常低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高系统效率。该器件采用先进的Trench沟槽技术，实现了优异的导通和开关性能。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于需要高可靠性的应用场合。其TSON10封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热能力，适合高密度PCB布局。
在开关特性方面，PSMN017-30BL具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关电源和同步整流电路。该MOSFET的栅极结构设计优化，能够有效抑制米勒效应，提高开关过程中的稳定性。此外，其具备较高的雪崩能量承受能力，可在瞬态过压条件下提供更强的耐受性，增强系统的稳定性与安全性。
PSMN017-30BL,118广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于服务器电源、通信设备、工业自动化、电机驱动以及汽车电子系统中的功率管理模块。此外，该MOSFET也可用于高效率的电源适配器和LED照明驱动电路。
PSMN023-30PL,118; PSMN039-30YL,118; BSC010N04LS
