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IXGH90N60B3 发布时间 时间:2025/8/6 8:02:46 查看 阅读:26

IXGH90N60B3是一款由IXYS公司生产的高功率双极型晶体管(BJT),适用于高电压和高电流的应用。该器件具有600V的集电极-发射极击穿电压和90A的集电极电流额定值,广泛用于电机控制、电源转换和工业自动化等高功率系统中。该晶体管采用了先进的制造工艺,以确保高效能和高可靠性。

参数

集电极-发射极击穿电压(Vce):600V
  集电极电流(Ic):90A
  功耗(Ptot):300W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247
  电流增益(hFE):在Ic=180mA时为20至80
  最大集电极-基极电压(Vcb):600V
  最大发射极-基极电压(Veb):5V
  存储温度范围:-55°C至150°C

特性

IXGH90N60B3的高击穿电压和大电流承载能力使其非常适合用于高功率应用。其TO-247封装提供了良好的散热性能,有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。该晶体管具有良好的线性放大特性和低饱和电压,从而减少了功率损耗并提高了系统的整体效率。此外,其宽工作温度范围使其能够在各种环境条件下稳定工作。由于其高性能和可靠性,IXGH90N60B3被广泛用于工业电机驱动、电源供应器和高电压控制系统中。

应用

IXGH90N60B3主要用于高功率电子设备中,例如工业电机控制器、不间断电源(UPS)、逆变器、焊接设备以及各种高电压和高电流的功率转换系统。此外,它也适用于需要高可靠性和高效率的自动化工业设备,如伺服驱动器和电动车辆的电力系统。

替代型号

IXGH90N60C3, IXGH90N60B3H

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IXGH90N60B3参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.8V @ 15V,90A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大660W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件