时间：2025/9/14 12:35:40
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PSMN015-60BS,118是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、低损耗和高可靠性设计，适用于广泛的电源管理应用。PSMN015-60BS采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力。封装形式为D2PAK（TO-263），便于在PCB上安装并实现良好的热管理。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60 V
栅源电压（Vgs）：20 V
连续漏极电流（Id）：160 A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：1.5 mΩ（最大值，Vgs=10 V）
功耗（Ptot）：220 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：D2PAK（TO-263）
PSMN015-60BS,118具有多项显著的性能特点，使其适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可以显著减少导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽技术，确保了在高温下仍能保持稳定的性能。
该器件的封装形式为D2PAK（TO-263），具备良好的热管理能力，能够在高电流和高功率应用中保持较低的工作温度。此外，PSMN015-60BS还具有高雪崩能量承受能力和出色的短路耐受能力，确保在极端工作条件下仍能保持稳定和可靠运行。
其栅极驱动电压范围为10 V至20 V，兼容常见的MOSFET驱动电路。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。由于其优异的性能指标和高可靠性，PSMN015-60BS特别适用于电动车辆、工业电源、DC-DC转换器和电池管理系统等要求严苛的应用场景。
PSMN015-60BS,118广泛应用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电子系统中。典型应用包括DC-DC降压和升压转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车电源系统、工业自动化设备以及高功率负载开关等。该MOSFET特别适合需要低导通损耗和快速开关性能的电源转换系统，如服务器电源、通信设备电源模块和不间断电源（UPS）等。
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