时间：2025/9/15 3:24:17
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PSMN013-80YS 是由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于增强型 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高功率密度和高效率的应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。它广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及汽车电子系统等领域。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：130A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：1.3mΩ（最大）
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN013-80YS 具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻 RDS(on) 显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。该器件采用 LFPAK56 封装技术，具有优良的热管理性能，能够有效散热，从而提高了器件的可靠性和寿命。
此外，PSMN013-80YS 在高温环境下依然能够保持稳定的性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其高栅极击穿电压（±20V）允许在更高电压的栅极驱动电路中使用，增强了设计的灵活性。
该功率 MOSFET 还具备快速开关能力，减少了开关损耗，有助于提高电源转换器的工作频率，从而减小外部元件的尺寸并提高系统集成度。同时，其低寄生电感和优化的封装设计有助于减少电磁干扰（EMI）的影响。
由于其高性能和高可靠性，PSMN013-80YS 成为了许多高功率应用中的首选功率开关器件。
PSMN013-80YS 主要应用于需要高效率和高功率密度的场合，例如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及汽车电子控制系统等。
在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载充电器、DC-DC 转换器和电机控制单元。在工业应用中，PSMN013-80YS 常用于电源供应器、工业自动化设备和高功率 LED 驱动器等。
由于其高电流承载能力和低导通电阻，该 MOSFET 特别适合用于多相电源设计，以提高系统的整体效率和稳定性。
SiZ104DT, IPB013N08N3, BSC013N08NS5
