工作频率：2.0GHz - 2.7GHz
　　输出功率：典型值27dBm（1W）
　　增益：典型值18dB
　　效率：典型值40%
　　电源电压：+5V至+7V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　输入/输出阻抗：50Ω

2272I 具有优异的线性度和高效率，使其成为射频功率放大的理想选择。其高电子迁移率晶体管（HEMT）结构提供卓越的高频性能和低噪声特性，同时保证了在高功率输出下的稳定性和可靠性。芯片内置的输入匹配网络和输出匹配网络简化了外围电路设计，减少了PCB布局的复杂度。此外，2272I 还具备良好的热稳定性，可在高负载条件下保持稳定工作。
　　该芯片的封装设计适用于高密度表面贴装工艺，便于自动化生产并提高制造效率。2272I 的高可靠性使其在无线通信基础设施、工业控制系统和射频测试设备中得到广泛应用。在高温环境下，芯片依然能够维持良好的性能，确保系统运行的稳定性。
　　2272I 的设计还考虑了低失真和高互调抑制能力，特别适用于需要高信号完整性的数字通信系统。其高输出功率和宽带工作能力，使得该芯片能够在多种无线通信标准下灵活应用，包括Wi-Fi、WiMAX、LTE和各种射频测试设备。

2272I 主要用于无线通信系统的射频功率放大器设计，包括Wi-Fi路由器、无线接入点、基站、测试设备和工业控制系统。在Wi-Fi和WiMAX系统中，2272I 可以作为功率放大器模块（PAM）的核心组件，提供高增益和高效率的射频信号放大。在基站设备中，该芯片可用于增强信号发射能力，提高通信距离和覆盖范围。在测试设备中，2272I 可用于射频信号源的放大，确保测试结果的准确性和稳定性。此外，2272I 也适用于各种需要高线性度和高稳定性的射频应用，例如无线传感器网络、RFID读写器和无线监控系统。

HMC414, MRFIC2001, RFPA2843