时间：2025/9/14 20:42:05
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PSMN013-60YLX 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于各种高功率密度应用。该器件封装为 LFPAK56（Power-SO8），具有良好的热管理和高可靠性。
类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：60 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：130 A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：1.3 mΩ（最大值，VGS=10V）
功耗（Ptot）：120 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN013-60YLX 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），在 10V 栅极驱动电压下最大仅为 1.3 mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了 Nexperia 独家的 LFPAK 封装技术，提供了优异的热性能和机械稳定性，能够承受高电流应力和温度变化。
该 MOSFET 具有出色的雪崩能量耐受能力，增强了在高压和高能脉冲环境下的可靠性。此外，其封装设计有助于减少寄生电感，提高开关性能，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。
PSMN013-60YLX 的栅极驱动电压范围宽（-20V 至 +20V），适用于多种驱动电路配置。其高电流容量和低热阻使其非常适合用于电机驱动、电池管理系统（BMS）、功率逆变器以及汽车电子系统等高要求应用场景。
PSMN013-60YLX 广泛应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。常见用途包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的功率模块。该器件的高可靠性和优异的热管理性能也使其适用于工业自动化、电动工具和新能源设备等领域。
由于其高电流承载能力和低 RDS(on)，PSMN013-60YLX 在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的 OBC（车载充电器）、逆变器和电池保护电路中也有广泛应用。此外，它也可用于服务器电源、电信电源设备和高性能计算（HPC）系统中的电源管理模块。
PSMN023-60YLC, PSMN039-60YLC, PSMN0D1-60YLC
