时间：2025/5/7 12:33:34
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PSMN013-100BS 是一款由 NXP Semiconductors 生产的功率 MOSFET。该器件属于 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及其他需要高效开关和低导通电阻的应用场景中。PSMN013-100BS 采用 DPAK 封装（TO-252），具有出色的电气性能和高可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：-36A
导通电阻（典型值）：7mΩ
栅极-源极电压范围：-10V 至 +4V
功耗：9W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DPAK (TO-252)
PSMN013-100BS 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，能够满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度，适合高频操作环境。
4. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
5. 稳定的工作温度范围，能够在极端条件下可靠运行。
6. 较小的封装尺寸，节省 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。
PSMN013-100BS 广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和功率转换。
2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
4. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换和负载切换。
5. 消费类电子产品中的电源管理和节能设计。
6. LED 驱动器和照明控制系统。
PSMN014-100BSE
PSMN015-100BSE
IRF5305
FDP8740
