时间：2025/5/7 9:31:57
阅读：3
LGT67F-S1-2-K3-20 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用场景。该器件采用先进的封装工艺，具备低寄生电感、高开关速度和高效率等特点，广泛应用于电源管理、射频放大器以及新能源领域。
这款 GaN 器件能够显著提升系统性能，减少能量损耗，并支持更高的工作频率，从而减小整体系统的尺寸和成本。
型号：LGT67F-S1-2-K3-20
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
额定电压：650 V
额定电流：20 A
导通电阻：35 mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：140 nC（最大值）
反向恢复时间：无（由于内部结构不涉及体二极管）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247-4L
LGT67F-S1-2-K3-20 的主要特性包括：
1. 高击穿电压能力，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗。
3. 快速开关特性，支持 MHz 级的工作频率。
4. 内置零反向恢复电荷的开关节点，进一步提高效率。
5. 提供稳健的短路保护功能。
6. 超低栅极电荷设计，简化驱动电路并减少驱动功耗。
7. 工作温度范围宽广，适应多种极端条件下的运行需求。
8. 封装兼容传统 MOSFET，便于现有设计的升级替换。
该芯片的主要应用领域涵盖：
1. 开关模式电源（SMPS），例如服务器电源和工业电源。
2. 通信基础设施中的 DC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器的核心组件。
4. 电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）的车载充电器（OBC）。
5. 消费类快充适配器。
6. 射频功率放大器以及其他高频应用。
LGT67F-S1-2-K3-15
LGT67F-S1-2-K3-25
