AOD536是一款N沟道增强型MOSFET,采用DFN8封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能,非常适合用于高效能开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高频和低损耗的应用场景。
该芯片由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产,以其卓越的电气特性和紧凑的封装形式著称,能够在有限的空间内提供高效的功率转换。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:12A
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:9nC
开关速度:典型值为20ns
工作温度范围:-55℃至150℃
AOD536采用了先进的工艺制造,具备以下主要特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低传导损耗。
2. 快速的开关特性使其非常适合高频应用环境。
3. 高电流处理能力,支持高达12A的连续漏极电流。
4. 紧凑的DFN8封装设计节省了PCB空间,同时提供了优良的散热性能。
5. 优异的雪崩击穿能力和耐用性,确保在异常条件下也能稳定运行。
6. 具备出色的静电防护能力(ESD Protection),提升了产品的可靠性。
AOD536广泛应用于各种功率转换和控制领域,包括但不限于以下应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. LED驱动器和电机驱动电路。
5. 便携式电子设备中的电源管理单元。
AOD536凭借其高效率和紧凑的尺寸,特别适合于对空间要求严格且需要高性能表现的应用场合。
AO3400
IRLML6401
FDMQ8207