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AOD536 发布时间 时间:2025/5/30 0:42:57 查看 阅读:10

AOD536是一款N沟道增强型MOSFET,采用DFN8封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能,非常适合用于高效能开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高频和低损耗的应用场景。
  该芯片由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产,以其卓越的电气特性和紧凑的封装形式著称,能够在有限的空间内提供高效的功率转换。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:9nC
  开关速度:典型值为20ns
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AOD536采用了先进的工艺制造,具备以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低传导损耗。
  2. 快速的开关特性使其非常适合高频应用环境。
  3. 高电流处理能力,支持高达12A的连续漏极电流。
  4. 紧凑的DFN8封装设计节省了PCB空间,同时提供了优良的散热性能。
  5. 优异的雪崩击穿能力和耐用性,确保在异常条件下也能稳定运行。
  6. 具备出色的静电防护能力(ESD Protection),提升了产品的可靠性。

应用

AOD536广泛应用于各种功率转换和控制领域,包括但不限于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 负载开关和电池保护电路。
  4. LED驱动器和电机驱动电路。
  5. 便携式电子设备中的电源管理单元。
  AOD536凭借其高效率和紧凑的尺寸,特别适合于对空间要求严格且需要高性能表现的应用场合。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  FDMQ8207

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