AOD536 时间：2025/5/30 0:42:57 阅读：25

AOD536是一款N沟道增强型MOSFET，采用DFN8封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能，非常适合用于高效能开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高频和低损耗的应用场景。
　　该芯片由Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）生产，以其卓越的电气特性和紧凑的封装形式著称，能够在有限的空间内提供高效的功率转换。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±8V
　　连续漏极电流：12A
　　导通电阻：7mΩ
　　栅极电荷：9nC
　　开关速度：典型值为20ns
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

AOD536采用了先进的工艺制造，具备以下主要特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低传导损耗。
　　2. 快速的开关特性使其非常适合高频应用环境。
　　3. 高电流处理能力，支持高达12A的连续漏极电流。
　　4. 紧凑的DFN8封装设计节省了PCB空间，同时提供了优良的散热性能。
　　5. 优异的雪崩击穿能力和耐用性，确保在异常条件下也能稳定运行。
　　6. 具备出色的静电防护能力（ESD Protection），提升了产品的可靠性。

应用

AOD536广泛应用于各种功率转换和控制领域，包括但不限于以下应用场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 负载开关和电池保护电路。
　　4. LED驱动器和电机驱动电路。
　　5. 便携式电子设备中的电源管理单元。
　　AOD536凭借其高效率和紧凑的尺寸，特别适合于对空间要求严格且需要高性能表现的应用场合。