时间：2025/9/14 7:56:17
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PSMN012-80BS,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能，适用于诸如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：80 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：120 A（在 Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大 1.2 mΩ（在 VGS=10 V）
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PSMN012-80BS,118 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，其核心特性之一是极低的导通电阻（RDS(on)），典型值为 1.2 mΩ，这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，从而提高了整体效率。该器件采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，具备出色的热管理能力，能够有效散热，延长器件寿命并提高系统稳定性。
该 MOSFET 支持高达 120 A 的连续漏极电流，在高频开关应用中表现出色，适用于诸如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。其栅极驱动电压范围为 ±20 V，通常在 10 V 栅极电压下工作以确保完全导通，同时具备较低的开关损耗。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在高应力环境下稳定运行。LFPAK56 封装具有较小的 PCB 占用空间，适合高密度设计，同时支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
PSMN012-80BS,118 的热阻（Rth(j-mb)）典型值为 0.45 K/W，表明其从芯片到电路板的热传导效率非常高，有助于在高功率应用中保持稳定的工作温度。
PSMN012-80BS,118 广泛应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、服务器电源、电信电源、电机控制和工业自动化设备。由于其低导通电阻和优良的热性能，该器件特别适合用于需要高电流处理能力且空间受限的设计中。
在服务器和通信设备的电源系统中，PSMN012-80BS,118 可用于同步整流，提高电源转换效率，降低发热。在电动工具和电动车控制系统中，它可以用作功率开关，控制电机的运行状态。此外，该器件也适用于负载开关电路，用于控制电源的开启和关闭，提供快速响应和稳定的导通状态。
由于其封装形式支持表面贴装技术（SMT），PSMN012-80BS,118 也广泛应用于自动化生产线上，提高了制造效率和产品一致性。对于需要高可靠性和高稳定性的工业控制设备，该 MOSFET 是一个理想的选择。
SiR142DP-T1-GE, INF80N08S3L13AKS, IPB012N08N3 G, IRF14213PBF
