时间：2025/9/14 14:12:57
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PSMN011-80YS,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的Trench工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。该器件的封装形式为LFPAK，这种封装形式提供了更小的封装尺寸和更高的热效率，非常适合空间受限和高密度电路设计。PSMN011-80YS,115 常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：1.1mΩ（最大值）
功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK
PSMN011-80YS,115 是一款具有多项优异特性的功率MOSFET，首先，其采用NXP的高性能Trench技术，使得导通电阻（Rds(on)）非常低，最大值仅为1.1mΩ，从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的漏源电压（Vds）为80V，连续漏极电流（Id）高达110A，能够在高压、高电流环境下稳定工作，适用于需要高功率处理能力的应用。该器件的封装形式为LFPAK，这种封装不仅具有更小的体积，便于在紧凑型电路设计中使用，而且具有更好的热传导性能，能够有效降低器件的工作温度，提高系统的可靠性和寿命。
PSMN011-80YS,115 的栅源电压（Vgs）为±20V，具有较强的抗电压波动能力，能够在恶劣的工作环境中保持稳定。其工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，确保了器件在极端温度条件下的可靠运行。该MOSFET的热阻（Rth）较低，进一步增强了其热管理能力，使其能够在高负载条件下长时间运行而不会因过热失效。此外，该器件的封装符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，符合现代电子产品对环保的要求。
PSMN011-80YS,115 凭借其高性能特性，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，能够有效提升电源转换效率并降低功耗。在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET可用于高功率电机驱动电路，提供稳定的开关性能和高效的能量传输。此外，该器件还适用于电池管理系统（BMS），如电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池组管理，其高可靠性和低导通电阻特性使其成为高效能电池管理系统的理想选择。由于其LFPAK封装的高热效率和小尺寸特性，PSMN011-80YS,115 也非常适合用于空间受限的便携式设备和嵌入式系统设计。
PSMN013-80YS,115; PSMN015-80YS,115; IPP015N08N3G08
