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IPD90N06S4L-05 发布时间 时间:2025/6/21 0:36:44 查看 阅读:4

IPD90N06S4L-05 是一款基于沟槽型 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司生产。该器件主要设计用于高效能开关电源、电机驱动和工业应用等场景。它具有低导通电阻和高电流处理能力,适合在高频开关环境中使用。
  该型号中的“90”代表其最大连续漏极电流为 90A(在特定条件下),“06”表示其最大耐压为 60V。通过优化的封装和芯片设计,IPD90N06S4L-05 提供了出色的热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:90A
  导通电阻(典型值,@Vgs=10V):2.7mΩ
  栅极电荷:38nC
  反向恢复时间:35ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

IPD90N06S4L-05 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 90A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗,特别适合高频应用。
  4. 优秀的热性能,能够承受较高的结温,确保在极端条件下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子设计需求。
  6. 集成 ESD 保护功能,增强器件的鲁棒性。
  7. 可靠的 TO-247 封装,便于散热和安装,广泛应用于各种功率转换场合。

应用

IPD90N06S4L-05 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如服务器电源、通信电源和工业电源。
  2. 电机驱动和控制,例如电动车窗、电动座椅和其他汽车应用。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换部分。
  5. LED 照明驱动电路,特别是在大功率照明系统中。
  6. 各种 DC/DC 和 AC/DC 转换器,提供高效的电力传输解决方案。

替代型号

IPW90N06S4L-05, IRFB4110PbF

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IPD90N06S4L-05参数

  • 数据列表IPD90N06S4L-05
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫欧 @ 90A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 60µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8180pF @ 25V
  • 功率 - 最大107W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000415588