时间：2025/9/15 2:01:04
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PSMN004-60B是一种N沟道增强型功率MOSFET，由Nexperia（原飞利浦半导体）制造，适用于高功率和高频开关应用。该器件采用Trench沟槽技术，提供低导通电阻和优异的开关性能。PSMN004-60B广泛用于电源转换、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：250A
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
导通电阻(RDS(on))：0.4毫欧（典型值）
功耗(Ptot)：125W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN004-60B MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了效率。该器件的栅极氧化层设计优化，确保了在高频开关应用中的稳定性和可靠性。
此外，PSMN004-60B具有较低的开关损耗，适用于高频率PWM控制，同时具备良好的热稳定性，可在高温环境下正常工作。
该MOSFET的封装形式为PowerSO-10，具有良好的散热性能，并兼容标准的SMT（表面贴装技术）工艺，便于PCB布局和生产制造。
PSMN004-60B还具备高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过压和电流冲击，适用于严苛的工业和汽车电子应用环境。
PSMN004-60B广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。
在电源管理方面，PSMN004-60B可用于高效能的AC-DC和DC-DC转换器中，实现高效率的电源转换。
在电机控制领域，该MOSFET可用于H桥电路，实现电机的正反转和调速控制。
此外，PSMN004-60B适用于需要高电流和低导通损耗的电池管理系统，例如电动汽车和储能系统的电源控制模块。
SiZ104DT, CSD17551Q5A, BSC090N03LS G
