类型：双P沟道MOSFET
　　封装：SOT723
　　连续漏极电流（ID）：-600mA（@VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.8A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.8V 至 -1.4V
　　导通电阻（RDS(on)）：350mΩ（@VGS = -4.5V），500mΩ（@VGS = -2.5V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值1.8nC（@VDS = 10V）
　　输入电容（Ciss）：约95pF（@VDS = 10V）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（Ptot）：500mW

PSMF050X-2采用Nexperia先进的TrenchMOS工艺制造，这一技术通过优化芯片内部的沟道结构，显著降低了导通电阻并提升了载流能力，同时保持了较低的栅极电荷，从而减少了开关过程中的能量损耗。该器件的关键优势在于其在低栅极驱动电压下的优异表现，能够在-2.5V甚至更低的VGS条件下可靠导通，这使其非常适合与3.3V或1.8V逻辑信号直接接口而无需额外的电平转换电路。这种低压驱动能力不仅简化了系统设计，还提高了整体能效。
　　其双P沟道配置允许灵活地实现同步整流、电源多路复用或双路负载开关功能，在电池供电系统中尤其有用，可用于防止电池反接导致的损坏或实现主备电源无缝切换。每个通道均具备独立引脚控制，便于布局布线和热管理。此外，SOT723封装仅有约1mm x 1mm的占位面积，极大节省PCB空间，适合高度集成的移动设备使用。
　　PSMF050X-2还具备良好的热稳定性，芯片热阻（Rth(j-a)）较低，结合适当的PCB铜箔散热设计，可有效将工作热量传导至外部环境，避免局部过热影响长期可靠性。器件经过严格的生产测试和质量管控，确保批次一致性高，适合自动化贴片生产线的大规模应用。同时，它具有较强的抗静电放电（ESD）能力，HBM模型下可达±2kV，增强了在实际装配和运行环境中的鲁棒性。综合来看，PSMF050X-2是一款面向微型化、高效化趋势的理想选择，兼顾性能、尺寸与可靠性，满足现代消费类电子产品对元器件严苛的要求。

PSMF050X-2主要应用于需要小型化和高能效的便携式电子设备中。常见用途包括智能手机和平板电脑中的电源路径管理，例如用于控制显示屏背光、摄像头模组或传感器模块的供电开关，以降低待机功耗并延长电池续航时间。在可穿戴设备如智能手表和健康监测手环中，该器件可用于动态电源域切换，根据系统状态启用或关闭特定功能单元，从而优化能耗。此外，它也广泛用于各类物联网节点设备，如无线传感器网络、蓝牙低功耗模块和RFID读写器，作为电池与主控电路之间的隔离开关，防止深度放电或漏电。
　　在工业与汽车电子领域，PSMF050X-2可用于车载信息娱乐系统的子模块电源控制或车身电子中的低功率负载切换。由于其具备一定的温度耐受能力和稳定性，也可部署于环境条件较复杂的嵌入式控制系统中。另一个重要应用场景是USB供电回路中的限流与保护开关，配合控制器实现过流检测和自动断开功能，提升系统的安全性。此外，该器件还可用于构建高端电平转换电路，在不同电压域之间传递数字信号时提供双向隔离与电平匹配功能。得益于其双通道设计，单颗芯片即可完成两路独立控制任务，减少BOM数量并提升系统集成度。总之，凡涉及低压、小电流、高频开关操作且对体积敏感的应用场合，PSMF050X-2都是一个极具竞争力的解决方案。

PMEM400XP,731
　　BSS84,215
　　DMG2302UK