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PSMA5943B 发布时间 时间:2025/12/27 21:57:26 查看 阅读:15

PSMA5943B是一款由安森美(onsemi)生产的表面贴装硅PIN二极管,专为高频和射频应用设计。该器件采用SOD-962封装,具有小尺寸、低电容和快速开关特性,适用于需要高频率响应和低信号失真的电路环境。PSMA5943B广泛用于移动通信设备、无线基础设施、射频开关、衰减器以及天线调谐等射频前端模块中。其结构基于高质量的硅材料工艺,确保了在高频工作条件下的稳定性和可靠性。此外,该二极管具备良好的热稳定性和耐湿性,符合RoHS环保要求,并通过了无卤素认证,适合现代绿色电子产品的制造需求。由于其紧凑的封装形式,PSMA5943B非常适合空间受限的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和物联网终端设备。该器件可在较宽的反向电压范围内工作,同时保持较低的漏电流,从而减少功耗并提高系统能效。整体而言,PSMA5943B是一款高性能、高可靠性的射频PIN二极管,满足严苛的工业标准和通信系统设计需求。

参数

类型:PIN二极管
  封装/外壳:SOD-962
  配置:单个
  最大重复反向电压(VRRM):70V
  最大直流阻断电压(VR):70V
  平均整流电流(IO):200mA
  正向电压(VF):1.1V(典型值,IF = 10mA)
  反向恢复时间(trr):5ns(典型值)
  结温(Tj):-55°C 至 +150°C
  储存温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  电容(CT):0.4pF(典型值,f = 1MHz,Vr = 0V)
  串联电阻(Rs):1.2Ω(典型值)
  漏电流(IR):1μA(最大值,VR = 70V)

特性

PSMA5943B具备优异的高频性能,这主要得益于其低结电容和低串联电阻的设计。在1MHz测试频率下,其典型电容仅为0.4pF,在射频信号路径中引入的容抗极小,从而有效减少了信号反射和损耗,提升了系统的匹配性能。这种低电容特性使其特别适用于GHz级别的射频开关和调谐电路,能够在高频段保持良好的信号完整性。此外,该器件的串联电阻仅为1.2Ω,意味着在导通状态下能量损耗非常低,有助于提升功率效率并降低发热问题,这对于高密度集成的射频模块尤为重要。
  另一个关键特性是其快速的反向恢复时间,典型值为5ns,这一指标表明该二极管能够迅速完成从导通到截止状态的转换,支持高速开关操作。在射频开关或脉冲调制应用中,快速的开关响应可以显著减少过渡过程中的非线性失真,提高信号质量。同时,该器件在70V的最大反向电压下仍能保持低于1μA的漏电流水平,展现出优秀的阻断能力与稳定性,即使在高压偏置条件下也能维持低噪声工作环境。
  PSMA5943B采用SOD-962小型化表面贴装封装,尺寸紧凑,典型封装尺寸约为1.0mm x 0.6mm x 0.46mm,非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。该封装还具备良好的热传导性能,能够将工作时产生的热量有效散发,延长器件寿命。此外,该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准,可用于汽车电子中的射频系统,如车载通信模块和远程信息处理单元。综合来看,PSMA5943B凭借其高频响应、低损耗、小尺寸和高可靠性,成为现代射频设计中的理想选择。

应用

PSMA5943B广泛应用于各类高频和射频电子系统中,尤其在移动通信领域发挥着重要作用。它常被用作射频开关中的核心元件,用于在不同天线路径或频段之间进行切换,例如在智能手机的多模多频天线系统中实现LTE、5G NR、Wi-Fi和蓝牙频段的选择性接入。由于其低电容和低串联电阻特性,该二极管能够在GHz频段内提供出色的插入损耗和隔离度表现,确保信号传输的高效与稳定。
  此外,PSMA5943B也适用于射频衰减器电路,作为可变电阻元件参与信号幅度调节。通过改变偏置电流控制其阻抗状态,可以在宽频率范围内实现精确的信号衰减,广泛应用于基站收发信机、微波链路和测试测量仪器中。在天线调谐模块中,该器件可用于动态调整天线输入阻抗,以适应不同使用场景(如手持位置变化或频段切换),从而优化辐射效率和接收灵敏度。
  在汽车电子方面,PSMA5943B可用于车载导航系统、V2X通信模块和远程信息处理设备中的射频前端,支持高可靠性的无线连接。其符合车规级标准的特点使其能在恶劣温度环境和振动条件下稳定运行。此外,该器件还可用于物联网终端、无人机通信模块、无线传感器网络等新兴领域的射频接口设计,满足对小型化、低功耗和高性能的综合需求。总之,PSMA5943B是一款多功能的高频PIN二极管,适用于各种需要精密射频控制的应用场景。

替代型号

MMBD943WT1G
  BCM843B,115
  PMX5943

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