FM25L256-DG 是一款由 Cypress Semiconductor(原 FSI - Fairchild Semiconductor International)生产的串行铁电存储器(FRAM)芯片。该芯片具有 256K 位(32K x 8)的存储容量,采用高速 SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行数据读写操作。与传统的EEPROM和Flash存储器不同,FM25L256-DG 使用铁电技术,具备高速写入、几乎无限次的读写寿命以及低功耗等优点,适用于需要频繁写入数据的应用场景。
容量:256Kbit
组织结构:32K x 8
接口类型:SPI
工作电压:2.7V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:8引脚 SOIC
最大时钟频率:20MHz
读写寿命:10^14 次/位
数据保持时间:10年
FM25L256-DG 的核心特性之一是其采用的铁电存储技术(FRAM),相较于传统的EEPROM和Flash,它具备几乎无限的读写寿命(高达10^14次/位),极大地延长了设备的使用寿命并减少了因存储器磨损而导致的故障率。此外,该芯片支持高速SPI接口,时钟频率可达20MHz,数据读写速度远高于EEPROM,显著提升了系统响应速度。
FM25L256-DG 还具备低功耗特性,在读写操作中无需等待时间,省去了EEPROM写入时所需的延时周期,从而进一步降低功耗。该芯片在掉电后仍能保持数据长达10年,非常适合需要长期保存数据的嵌入式系统。
在安全性方面,FM25L256-DG 提供了硬件写保护功能,用户可以通过写保护引脚(WP)控制特定地址范围的写入权限,防止意外数据修改。此外,它还内置了增强型数据保护机制,支持通过软件指令实现整个存储区域的写保护功能,确保关键数据的安全性。
该芯片的工业级工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛环境下的工业控制系统、医疗设备、智能电表以及其他需要高可靠性和高稳定性的应用场景。
FM25L256-DG 主要用于对数据写入次数要求较高、对功耗敏感或需要高速非易失性存储的系统中。典型应用包括工业控制系统中的实时数据记录、智能电表中的计量数据存储、医疗设备中的患者信息保存、POS终端中的交易日志记录、安防系统中的事件记录等。
由于其高速写入能力和无限次读写寿命,该芯片特别适合用于替代传统的EEPROM和Flash存储器,尤其是在需要频繁更新数据的应用中。例如,在物联网(IoT)设备中,FM25L256-DG 可用于存储传感器采集的数据,避免Flash存储器因频繁写入导致的寿命损耗问题。
此外,该芯片也适用于需要在掉电后仍然保留数据的场合,如UPS(不间断电源)、远程监控设备和手持式测量仪器等。其低功耗特性使其在电池供电设备中具有明显优势,有助于延长设备的续航时间。
MB85RS256A, CYFRAM-25L256