PSHI75D/06 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高效率的开关应用。该器件采用 DPAK 封装(也称为 TO-252),具有良好的热性能和高电流承载能力,适用于 DC-DC 转换器、电源管理和电机控制等场景。PSHI75D/06 的设计使其在低导通电阻和高开关速度之间取得了良好的平衡,有助于提高系统效率并减少散热需求。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(Id):75A
最大漏-源电压(Vds):60V
最大栅-源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大 4.5mΩ(在 Vgs=10V)
功率耗散(Ptot):250W
封装:DPAK(TO-252)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
PSHI75D/06 的核心优势在于其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其 DPAK 封装形式提供了良好的热管理能力,适合在高电流条件下运行。
该 MOSFET 具有高耐压能力(60V),适用于各种中高功率应用。其栅极驱动设计允许在标准逻辑电平(如 10V)下有效导通,简化了驱动电路的设计。
此外,PSHI75D/06 的结构设计优化了开关性能,降低了开关损耗,使其在高频开关应用中表现出色。该器件还具备良好的抗雪崩能力,增强了在过载或瞬态条件下的可靠性。
从制造角度看,PSHI75D/06 符合 RoHS 标准,支持无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。
PSHI75D/06 常用于各种电力电子系统中,特别是在需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。
在电源管理领域,PSHI75D/06 可用于服务器、台式计算机和笔记本电脑的电源单元,以提高转换效率并减少发热。
在工业自动化和电机控制中,该 MOSFET 可作为高侧或低侧开关,控制直流电机的速度和方向。
此外,PSHI75D/06 也可用于电动车、太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块,提供稳定可靠的开关性能。
IRF7530, FDP7530, PSMN75D06PL, PSMN75D06LF