时间：2025/5/16 16:08:22
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PSMN2R8-80BS 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由 NXP（恩智浦）生产。该器件采用 DPAK 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用。其设计优化了在高频开关环境下的性能表现，并且具有出色的热稳定性和可靠性。
这款 MOSFET 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。它能够承受较高的电压和电流，同时保持较低的功耗，从而提高整体系统效率。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：118A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：46nC（典型值）
总电容：3590pF（输入电容 Ciss）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
PSMN2R8-80BS 提供了非常低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高效率。同时，它的高电流处理能力和快速开关特性使其非常适合用于高性能电源转换电路中。
此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下持续运行。NXP 的制造工艺确保了该芯片的可靠性和一致性，减少了失效风险。
PSMN2R8-80BS 的低寄生电感和电容设计也进一步提升了开关性能，降低了电磁干扰（EMI）。这些特点使得该器件成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。
PSMN2R8-80BS 广泛应用于各类工业和消费电子领域。具体应用包括但不限于以下：
- 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管
- DC-DC 转换器中的功率开关
- 电动工具和家用电器中的电机驱动
- 笔记本电脑和服务器的负载开关
- 电池保护电路和能量存储系统中的开关元件
由于其强大的电流承载能力与低 Rds(on)，该器件特别适合需要大电流输出的应用场景。
PSMN2R0-80BS, PSMN2R9-80BSE
