产品系列：InnoSwitch?3-Pro
　　控制器类型：离线式反激控制器
　　集成开关：PowiGaN? GaN开关
　　输出功率范围：最高约100W
　　输入电压范围：85 VAC 至 265 VAC
　　开关频率：典型值为100 kHz
　　反馈类型：次级侧直接检测，无光耦设计
　　工作模式：多模式（准谐振QR、DCM、CCM）
　　封装类型：InSOP-24D
　　隔离耐压：750 V RMS（min）
　　控制接口：数字通信接口（I2C兼容）用于动态调节输出
　　启动时间：典型<1秒
　　待机功耗：<30 mW（典型）
　　保护功能：OVP、OCP、OTP、Brown-out
　　符合标准：IEC 60950/62368，DoE Level VI，Energy Star

PSDB5D28NT121的核心特性之一是采用了PowiGaN?氮化镓开关技术，这一创新技术显著降低了导通损耗和开关损耗，使得电源转换效率大幅提升，尤其是在高频工作条件下表现尤为突出。相比传统的硅基MOSFET，GaN器件具有更低的Rds(on)和更快的开关速度，允许更高的开关频率，从而减小变压器和滤波元件的体积，实现更小型化的电源设计。此外，由于GaN器件在高温下仍能保持良好性能，因此有助于提升系统的热稳定性和长期可靠性。该芯片通过初级侧检测技术实现了精确的恒压（CV）和恒流（CC）控制，无需使用光耦和TL431等外部反馈元件，不仅减少了元器件数量和PCB空间占用，也避免了光耦老化带来的性能衰减问题，增强了系统寿命一致性。
　　另一个关键特性是其支持数字控制接口（I2C兼容），允许主控MCU或系统控制器实时读取输出状态并动态调整输出电压和电流设定值，适用于需要可编程输出的应用场景，如USB PD快充、多档位输出适配器等。这种高度灵活性使其成为智能电源系统的理想选择。同时，芯片内部集成了高压启动电路，可在上电后快速激活PWM控制逻辑，缩短启动时间，并在轻载或空载时进入高效的突发模式（Burst Mode），有效降低待机功耗，满足严苛的节能环保法规要求。EMI优化方面，该器件采用频率抖动（Frequency Shuffling）技术和软开关控制策略，有效分散电磁干扰频谱能量，降低传导和辐射噪声，减少对外部EMI滤波电路的依赖，进一步简化设计流程。整体来看，PSDB5D28NT121凭借其高集成度、高效率、低待机功耗和智能化控制能力，在现代高效绿色电源领域占据重要地位。

PSDB5D28NT121主要应用于对能效、尺寸和可靠性有较高要求的中等功率开关电源系统。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机的通用USB-C PD电源适配器，尤其适合支持宽范围输出电压（如5V至20V）和多种充电协议的快充设备。此外，它也被广泛用于家电产品的辅助电源（如电视、空调、洗衣机中的待机电源模块），因其高集成度和低待机功耗特性，有助于整机通过节能认证。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC、传感器供电模块、小型电机驱动器的隔离电源部分，提供稳定可靠的直流电压输出。电信设备中的网络路由器、交换机、IP摄像头等也需要高效的小型化电源解决方案，PSDB5D28NT121同样适用。由于其具备数字通信接口，还可用于构建智能电源管理系统，实现远程监控、故障诊断和动态调压等功能。医疗设备中的低功率隔离电源模块也可以采用该器件，以满足严格的安全隔离和电磁兼容性要求。总之，凡是在85–265V AC输入条件下需要高效、紧凑、低EMI且具备一定智能控制能力的离线式电源设计，PSDB5D28NT121都是一个极具竞争力的选择。

INN3370C