产品系列：PowerSQUIRT
　　电感值：3.8 μH ±20%
　　额定电流（Irms）：5.2 A
　　饱和电流（Isat）：6.8 A
　　直流电阻（DCR）：32 mΩ 最大
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +155°C
　　封装类型：SMD
　　尺寸：10.0 mm × 10.0 mm × 4.0 mm
　　端子材料：铜合金
　　端子表面处理：锡镀层
　　屏蔽类型：磁屏蔽
　　频率特性：适用于高达2 MHz的工作频率
　　自谐振频率（SRF）：典型值 >30 MHz
　　热降额曲线：依据环境温度逐步降低最大允许电流

PSDB1004NT3R8功率电感器采用先进的粉末冶金工艺制造，其核心材料为高性能铁硅铝或类似复合磁粉，经过高温压制与精密退火处理，确保了磁芯的高度均匀性和极低的涡流损耗。这种一体成型结构不仅提升了器件的机械强度，还显著增强了抗电磁干扰（EMI）的能力，使其在高频开关电源环境中表现出色。该电感具有出色的直流叠加特性，在接近饱和电流时仍能维持较高的电感保留率，从而保障电源系统的动态响应能力和输出稳定性。
　　其低直流电阻（DCR）设计有效减少了铜损，提高了电源转换效率，特别适用于高电流密度的应用场景。此外，该器件具备优异的热管理性能，即使在满载持续运行条件下也能保持较低温升，延长系统寿命并提升可靠性。磁屏蔽结构的设计大幅降低了外部磁场泄漏，避免对邻近敏感元件造成干扰，满足EMC设计要求。
　　PSDB1004NT3R8支持自动拾取和放置（Pick-and-Place）工艺，兼容回流焊和波峰焊等多种SMT组装方式，适合大规模生产使用。其坚固的结构设计可承受多次热循环而不发生开裂或脱焊现象，确保长期服役过程中的电气连接可靠性。同时，器件通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于工业级和汽车电子应用环境。综合来看，这款电感器是追求高效能、小体积与高可靠性的理想选择。

PSDB1004NT3R8主要用于各类需要高电流、低损耗电感的直流-直流（DC-DC）转换器拓扑结构中，例如降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）变换器。它常见于服务器主板、图形处理器（GPU）供电模块、现场可编程门阵列（FPGA）电源管理单元以及高端微处理器的核心电压调节模块（VRM）。由于其紧凑尺寸和高功率密度特性，也广泛用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和超极本等设备的电池电源管理系统。
　　在通信基础设施领域，该电感可用于基站电源、光模块供电电路以及网络交换机中的多相整流电路。此外，在工业控制、医疗电子设备以及车载信息娱乐系统中，PSDB1004NT3R8能够为关键子系统提供稳定可靠的电源滤波与储能功能。其高抗饱和特性和宽温工作范围使其适应恶劣环境下的长期运行需求。

ISD1010-3R8MS
　　XAL1010-3R8MC