LE25FV051T-TLM是一款由Lapis Semiconductor(现为ROHM Semiconductor旗下公司)生产的串行闪存存储器芯片。该器件属于高性能、低功耗的SPI(Serial Peripheral Interface)接口闪存系列,专为需要可靠非易失性存储的应用设计。LE25FV051T-TLM采用标准的8引脚封装(如SOP8或WSON8),具有512 Kbit(即64 Kbyte)的存储容量,组织方式为64千字×8位。该芯片广泛应用于消费类电子、工业控制、通信设备以及嵌入式系统中,用于存储固件、配置数据、启动代码等信息。
该器件支持标准SPI和双I/O SPI模式,工作电压范围通常在2.3V至3.6V之间,适合电池供电或低电压系统使用。其内部结构包含一个高耐久性的存储阵列,支持高达10万次的编程/擦除周期,并具备长达40年的数据保持能力,确保长期稳定运行。此外,LE25FV051T-TLM集成了多种保护机制,包括软件和硬件写保护功能,防止因误操作或意外断电导致的数据损坏。通过JEDEC标准兼容的指令集,用户可以方便地进行读取、编程、擦除及状态查询操作,提升了系统集成的灵活性与兼容性。
型号:LE25FV051T-TLM
制造商:Lapis Semiconductor (ROHM)
存储容量:512 Kbit (64 Kbyte)
组织结构:64K × 8
接口类型:SPI, 支持Dual I/O
工作电压:2.3V ~ 3.6V
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装形式:SOP8 / WSON8
时钟频率:最高支持80MHz
编程/擦除耐久性:100,000次
数据保持时间:40年
写保护功能:软件和硬件写保护
指令集:JEDEC标准兼容
LE25FV051T-TLM具备卓越的性能和可靠性,适用于对稳定性要求较高的嵌入式应用场景。其核心特性之一是支持高速SPI通信,最大时钟频率可达80MHz,在标准模式下能够实现高效的数据传输速率,显著提升系统启动速度和固件加载效率。同时,该芯片支持Dual I/O SPI模式,进一步提高了数据吞吐量,尤其适用于需要频繁读取大块数据的应用场景,如图形界面显示、音频播放或远程固件更新等。这种灵活的接口设计使得它能够与多种主控MCU或SoC无缝对接,减少系统延迟并优化整体性能。
另一个关键特性是其宽电压工作范围(2.3V~3.6V),这使其不仅适用于常规3.3V系统,也能在低功耗或电池供电设备中稳定运行。配合低静态电流和待机电流设计,该芯片有助于延长便携式设备的续航时间。此外,LE25FV051T-TLM内置完整的写保护机制,包括状态寄存器中的写保护位(WPEN、BP位)以及硬件写保护引脚(如有),可有效防止在上电/掉电过程中发生意外写入或擦除操作,保障关键数据的安全性。
在耐久性和数据保持方面,该器件支持高达10万次的编程/擦除周期,远超一般应用需求,适合频繁更新数据的场合。同时,其数据保存时间长达40年,即使在恶劣环境下也能确保信息不丢失。芯片还集成了上电复位电路和内部定时控制逻辑,确保每次操作都能在正确的电压和时序条件下完成,提升了系统的鲁棒性。所有这些特性共同构成了一个高可靠性、易集成、低风险的存储解决方案,特别适合工业自动化、医疗设备、智能仪表等领域。
LE25FV051T-TLM常用于需要小容量、高可靠性串行闪存的各种电子系统中。典型应用包括嵌入式系统的启动代码存储(Boot Code Storage),例如在微控制器单元(MCU)或片上系统(SoC)中作为外部程序存储器使用,支持快速冷启动和XIP(eXecute In Place)功能,从而加快系统初始化过程。在消费类电子产品中,如智能家居设备、无线路由器、数字机顶盒和可穿戴设备,该芯片可用于保存设备配置参数、用户设置、校准数据或小型操作系统映像。
在工业控制领域,LE25FV051T-TLM被广泛用于PLC模块、传感器节点、HMI(人机界面)面板中,用于记录运行日志、故障码或工艺参数。由于其良好的温度适应性和抗干扰能力,即使在复杂电磁环境或温变剧烈的现场环境中也能稳定工作。此外,该芯片也适用于通信模块,如LoRa、ZigBee、Wi-Fi模组中,用于存储MAC地址、加密密钥或协议栈代码。
在汽车电子辅助系统中,虽然不直接用于动力总成,但可在车载信息娱乐系统、行车记录仪或胎压监测系统中发挥重要作用。得益于其小封装尺寸和低功耗特性,非常适合空间受限的高密度PCB布局。同时,因其符合绿色环保标准(如无铅、无卤素),满足现代电子产品对环保法规的要求,因此在出口型产品中具有较强的合规优势。
SST25VF050B-30-3C-S2AF
MX25L512EUM1I-12G
W25Q512JVSIQ
EN25FV051-30VI