型号：PS8D38-100MT
　　制造商：Renesas Electronics
　　存储容量：8 Kbit (1024 × 8)
　　组织结构：128页 × 8字节/页
　　接口类型：I2C，支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和高速模式(1MHz)
　　工作电压：1.7V ~ 5.5V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　擦写寿命：1,000,000次
　　数据保持时间：100年
　　封装形式：8-TSSOP
　　写保护功能：有（可通过WP引脚控制）
　　自定时写周期：典型值5ms
　　待机电流：最大1 μA（典型值0.1 μA）
　　读写电流：典型值1 mA @ 5V, 100kHz
　　可靠性：内置ECC纠错和写操作完成检测机制

PS8D38-100MT具备多项先进的技术特性，使其在同类串行EEPROM产品中具有显著优势。首先，该芯片支持宽电压工作范围（1.7V至5.5V），这意味着它可以无缝集成到使用不同电源系统的设备中，无论是低功耗的电池供电装置还是常规5V供电的工业控制器都能良好适配。这种灵活性大大提升了其在跨平台设计中的适用性。其次，它采用了高速I2C总线协议，最高支持1MHz的数据传输速率，在需要频繁读写小量数据的应用场景下能够显著提高系统响应速度与效率。
　　该器件内部集成了自动写定时逻辑，用户无需外部监控写操作的完成状态，简化了软件设计流程并降低了主控MCU的负担。同时，每个写操作完成后都会自动启动内部定时器进行编程，期间所有新的访问请求将被暂时挂起直至当前写周期结束，从而保证数据完整性。另外，PS8D38-100MT配备了硬件写保护引脚（WP），当该引脚接地时允许写操作；拉高至VCC则锁定整个存储区域，防止因噪声干扰或程序异常导致的关键参数被意外修改，这一特性对于存储校准数据、设备序列号或安全密钥尤为重要。
　　在可靠性方面，PS8D38-100MT表现出色：其擦写耐久性达到100万次，远高于传统EEPROM器件的平均水平，配合长达100年的数据保持能力，非常适合长期运行且需要频繁更新数据的系统。此外，芯片内置错误纠正码（ECC）机制和写验证功能，能够在底层检测并修正单比特错误，进一步增强了数据的安全性和系统的鲁棒性。最后，该器件采用8-TSSOP小型封装，占用PCB面积小，便于在空间受限的设计中使用，并支持无铅回流焊工艺，符合现代绿色电子制造的要求。

PS8D38-100MT广泛应用于各类需要可靠非易失性数据存储的电子系统中。在消费类电子产品领域，常用于电视、机顶盒、音响设备中保存用户设置、音视频配置参数和固件版本信息；在工业自动化系统中，可用于PLC模块、远程I/O单元中存储设备地址、通信参数和校准数据；在医疗设备中，用于记录设备使用日志、传感器标定系数和患者相关信息，确保关键数据在断电后不丢失。
　　此外，该芯片也常见于智能家居和物联网终端设备中，例如智能电表、温控器、门禁系统等，用于存储网络配置、设备ID、历史能耗数据等信息。由于其宽温工作能力和高抗干扰性能，PS8D38-100MT同样适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、ECU参数备份、传感器记忆单元等，在极端环境下仍能保持稳定运行。在通信设备中，可用于光模块、路由器和交换机中存储模块识别信息（如SFP-DD中的DDM数据）、MAC地址和调试日志。
　　得益于其低功耗特性，该器件也非常适合用于电池供电的便携式仪器，如手持式测量仪、条码扫描器和无线传感器节点，能够在极低静态电流下维持长时间待机，延长电池使用寿命。结合其I2C接口的简单布线优势，系统开发者可以轻松实现多器件级联，构建灵活的数据存储架构。总之，PS8D38-100MT凭借其高可靠性、宽电压支持、小封装和长寿命等特点，已成为众多嵌入式系统中不可或缺的核心存储组件。

M95040-RMN6P
　　AT24C08D-SSHM-T
　　CAT24C08WI-GT3
　　FM24C08-G