时间：2025/12/28 1:07:11
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PS4D18-180MT是一款由Vishay Semiconductors生产的高电压、高电流肖特基二极管阵列，采用先进的平面技术制造，专为高频开关电源应用而设计。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，采用共阴极配置，适用于需要高效整流和低正向压降的应用场景。PS4D18-180MT具有出色的热稳定性和可靠性，广泛应用于DC-DC转换器、续流二极管、极性保护电路以及反向电压隔离等场合。其封装形式为TO-277（也称为IPAK Surface Mount），具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，有助于提高PCB组装效率并降低生产成本。该器件符合RoHS指令要求，并且通过了无卤素认证，满足现代绿色电子产品的环保标准。由于采用了肖特基势垒技术，PS4D18-180MT在工作时表现出较低的开关损耗和较高的转换效率，特别适用于高频率、高效率的电源拓扑结构，如同步整流、有源钳位电路等。此外，该器件对瞬态电压具有较强的耐受能力，在实际应用中可有效减少电磁干扰（EMI）的影响，提升系统整体稳定性。
产品类型：肖特基二极管阵列
配置：双共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：180V
平均整流电流（IF(AV)）：4A（每芯片）
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A（t=8.3ms）
最大正向压降（VF）：0.61V @ 4A, 125°C（典型值）
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 180V, 125°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
热阻（RθJA）：约60°C/W（依PCB布局而定）
封装形式：TO-277（Surface Mount IPAK）
引脚数：3
安装方式：表面贴装（SMD）
湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C，无限时间）
PS4D18-180MT的核心优势在于其优异的电气性能与可靠的封装设计相结合，使其在中高功率密度电源系统中表现卓越。首先，该器件采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，典型值在4A电流下仅为0.61V（125°C），显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。相比传统PN结二极管，这种低VF特性在大电流、高频率的工作条件下尤为重要，能够有效减少发热，延长系统寿命。其次，该器件支持高达180V的反向重复电压，适用于多种宽输入电压范围的电源拓扑，如升压（Boost）、反激（Flyback）及LLC谐振转换器中的次级侧整流应用。其双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管并联或分别使用，增强了电路设计的灵活性。
另一个关键特性是其出色的热管理能力。TO-277封装不仅体积紧凑，便于自动化贴片装配，还具备优良的散热路径，通过底部裸露焊盘将热量高效传导至PCB，从而降低热阻，提升功率处理能力。实测表明，在标准FR-4四层板上，其热阻RθJA约为60°C/W，确保即使在持续高负载运行下也能保持稳定的结温。此外，该器件具有较低的反向恢复时间（近乎为零），几乎不产生反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关环境中不会引发额外的开关损耗或电压尖峰，极大减少了EMI噪声源，简化了滤波电路设计。
PS4D18-180MT还具备良好的环境适应性和长期可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端工业环境或车载电子系统中稳定运行。器件通过AEC-Q101汽车级可靠性认证的可能性较高（需查阅最新数据手册确认），进一步扩展了其在汽车电子领域的应用潜力。同时，材料符合RoHS和无卤素规范，支持绿色环保制造流程。总体而言，PS4D18-180MT是一款兼顾高性能、高可靠性和易制造性的先进表面贴装肖特基二极管解决方案。
PS4D18-180MT广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于对效率和热性能有严格要求的设计场景。常见应用包括：AC-DC开关电源的输出整流级，特别是在单端反激或正激拓扑中作为次级侧整流二极管；DC-DC转换器中的同步整流辅助二极管或自驱动同步整流方案中的体二极管替代元件；用于电池充电管理系统中的防反接和能量回馈路径控制；在太阳能逆变器和LED驱动电源中承担续流和隔离功能；也可作为高频变压器副边的全波或半波整流单元。此外，该器件常被用于电机驱动电路中的续流（飞轮）二极管，以吸收感性负载断开时产生的反向电动势，保护主开关器件（如MOSFET或IGBT）。在便携式工业设备、通信电源模块、服务器电源单元以及消费类电子产品（如大功率适配器）中也有广泛应用。得益于其表面贴装封装和高电流密度特性，PS4D18-180MT特别适合空间受限但需要高功率输出的应用场合。
SB4D180CT
MBR4H180CT
SS4H180
