容量：4Mbit（512K x 8）
　　电源电压：3.3V 或 5V（视具体型号而定）
　　访问时间：约55ns（最大）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 70°C）
　　封装类型：TSOP、PSOP、FBGA等
　　数据保持电压：1.5V 至 Vcc
　　待机电流：最大10mA（典型值）
　　读取电流：最大200mA（典型值）
　　封装引脚数：54引脚或更高

MB87M4344 SRAM芯片具备多项高性能特性，首先是其高速数据访问能力，访问时间低至55ns，确保系统能够快速响应和处理数据，适用于对性能要求较高的应用。其次，该芯片支持3.3V或5V电源供电，具有良好的电压兼容性，适应不同系统的电源设计需求。
　　在功耗方面，MB87M4344具备低待机电流特性，典型值仅为10mA，有助于降低系统整体功耗，特别适合电池供电或对能耗敏感的应用环境。此外，其数据保持电压可低至1.5V，确保在系统进入低功耗模式时仍能维持数据完整性。
　　该芯片采用工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、车载系统和户外设备等应用场景。MB87M4344还提供多种封装选项，包括TSOP、PSOP和FBGA等，便于根据PCB布局和空间限制进行灵活设计。
　　从功能上看，MB87M4344支持异步操作，兼容多种处理器接口标准，简化了与主控芯片的连接和通信。此外，该芯片具备高可靠性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行，适用于通信和网络设备中的缓存应用。

MB87M4344 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存取和低功耗特性的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化设备中的数据缓存、通信设备中的网络数据缓冲、嵌入式系统中的临时存储器、测试仪器中的高速数据记录模块、车载控制系统中的实时数据处理单元以及网络交换设备中的包缓存存储器。此外，该芯片还可用于医疗设备、安防监控系统和消费类电子产品中的高性能存储模块设计。

ISSI IS61LV25616-10B4BLI、Cypress CY62148EVLL、Renesas IDT71V416S、Alliance Memory AS7C34098A