PRMD13Z 时间：2025/9/14 4:32:01 阅读：4

PRMD13Z是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理和高功率开关应用。该器件具备高电流容量、低导通电阻以及快速开关特性，适用于多种电子设备，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统和功率放大器。PRMD13Z属于N沟道增强型MOSFET，采用先进的封装技术以优化热管理和空间利用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：80A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8双面散热
　　安装类型：表面贴装

特性

PRMD13Z的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和低热阻特性使其在高功率应用中表现出色。该MOSFET采用先进的硅技术和双面散热封装，增强了热性能，减少了散热器的需求。此外，PRMD13Z具有快速开关能力，减少了开关损耗，并支持高频操作，适用于高效率电源转换器。该器件还具备高雪崩能量耐受能力和良好的短路稳定性，确保了在极端工作条件下的可靠性。内置的栅极保护二极管可防止静电放电（ESD）损伤，提高了器件的抗干扰能力。

应用

PRMD13Z广泛应用于高性能电源系统，如服务器电源、电信设备、工业电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关和功率放大器。其高效率和高功率密度特性使其成为高要求汽车电子和工业自动化系统的理想选择。此外，该器件适用于需要快速开关和低功耗的电源管理应用，例如笔记本电脑、平板电脑和高功率LED照明系统。