型号：FTP05N50
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vdss)：500V
　　漏极电流(Id)：5A @ 25°C
　　漏极电流(Idm)：20A（脉冲）
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：1.8Ω（最大值，@ Vgs=10V）
　　阈值电压(Vgs(th))：4V（典型值）
　　输入电容(Ciss)：700pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(Trr)：54ns
　　功耗(Pd)：94W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220

FTP05N50采用了先进的平面栅极技术和高密度单元设计，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，其最大Rds(on)在125°C时仅比室温增加约50%，确保了在高负载条件下的可靠性。
　　其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性使得驱动电路设计更加简单，能够有效降低驱动损耗，并支持更高的开关频率操作，适用于高频开关电源设计。同时，输出电容（Coss）较小，有助于减少关断过程中的能量损耗，进一步提升能效。
　　FTP05N50具备出色的雪崩击穿耐量，经过严格测试验证，能够在非钳位电感开关（UIS）条件下承受一定的重复性雪崩能量，增强了在异常工况下的鲁棒性。这对于防止因瞬态过压导致的器件损坏至关重要，特别是在电机驱动和逆变器应用中。
　　该MOSFET的体二极管具有较快的反向恢复速度，反向恢复电荷（Qrr）较低，可减少换流过程中产生的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高系统的电磁兼容性。此外，其封装采用标准TO-220形式，便于安装散热片，具备良好的热传导能力，有助于将结温控制在安全范围内，延长使用寿命。
　　器件符合RoHS环保要求，无铅且不含卤素，适用于现代绿色电子产品制造。其高电压阻断能力和中等电流承载能力使其在AC-DC适配器、LED驱动电源、光伏逆变器等领域表现出色。

FTP05N50广泛应用于各类需要高压、中功率开关控制的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是离线式反激变换器和正激变换器，用于实现高效的交流到直流转换。在这些电源拓扑中，FTP05N50作为主开关管，承担高频通断任务，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率并减少发热。
　　该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在输入电压较高的工业电源系统中。例如，在48V系统或太阳能充电控制器中，FTP05N50可用于功率级开关，提供稳定可靠的能量传输路径。
　　在逆变器系统中，如小型正弦波逆变器或UPS不间断电源，FTP05N50可用于H桥或半桥拓扑结构中的开关元件，控制直流到交流的转换过程。其高耐压能力和良好的热稳定性使其能在长时间运行中保持性能一致。
　　此外，FTP05N50还适用于电机驱动电路，尤其是小功率直流电机或步进电机的控制模块。在这些应用中，它能够承受感性负载引起的电压反冲，并通过其内置快恢复二极管实现续流功能，保护电路免受反电动势损害。
　　其他应用还包括电子镇流器、LED恒流驱动电源、电焊机电源模块以及各种工业控制设备中的功率开关环节。凭借其成熟的设计和稳定的供货渠道，FTP05N50成为工程师在中等功率等级设计中的优选器件之一。

FQP05N50, KSP05N50, STP5NK50ZFP, 2SK3562