时间：2025/9/14 8:35:07
阅读：9
PRMD12Z 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET系列。该器件专为高效率电源管理应用设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等场景。PRMD12Z采用先进的沟槽栅技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。该器件通常采用DFN5x6封装，提供良好的热管理和空间节省，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ @ Vgs=4.5V
最大功耗：120W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：DFN5x6
PRMD12Z的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
在Vgs=10V时，其Rds(on)仅为5.5mΩ，而在Vgs=4.5V时也仅为7.5mΩ，这使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下仍保持良好的性能，适用于多种电源管理系统。
此外，PRMD12Z采用了先进的沟槽栅技术，这不仅提高了器件的开关速度，还降低了开关损耗，使其在高频应用中表现优异。
该器件的最大漏极电流为120A，漏源电压最大为30V，能够承受较高的电压和电流应力，适合用于高功率密度设计。
PRMD12Z的封装形式为DFN5x6，这是一种无引脚的表面贴装封装，具有良好的热传导性能，能够有效地将热量从芯片传导至PCB，从而提高器件的可靠性和稳定性。
该封装还具有较小的占板面积，有助于节省PCB空间，适合用于紧凑型设计。
PRMD12Z的工作温度范围为-55°C至175°C，表明其具有良好的温度耐受性，适用于各种工业和汽车应用环境。
此外，该器件的最大功耗为120W，能够在较高功率条件下稳定运行，进一步增强了其在高负载应用中的适用性。
PRMD12Z广泛应用于各种功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
其中，DC-DC转换器是PRMD12Z的一个典型应用领域。在同步整流降压或升压转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损耗，提高转换效率。
此外，PRMD12Z也常用于负载开关电路，用于控制高电流负载的开启与关闭，例如在服务器、存储设备和工业控制系统中实现电源管理功能。
在电机控制应用中，PRMD12Z可用于H桥电路，驱动直流电机或步进电机，其高电流能力和快速响应特性使其适用于需要精确控制的场合。
同时，该器件也适用于电池管理系统（BMS），用于控制电池的充放电过程，确保电池组的安全运行。
除此之外，PRMD12Z还可用于电源适配器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动器以及各种高功率便携设备的电源管理模块中，其优异的热性能和紧凑的DFN5x6封装使其成为高密度PCB设计的理想选择。
IPD120N30N3 G, NTD120N30CLT4G, STD120N3LLF
