PRFT7190T 是一款由 ROHM(罗姆)半导体公司制造的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、低功耗应用而设计,广泛用于电池供电设备、电源管理系统、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。PRFT7190T 采用紧凑型 TSON 封装,具有优异的热性能和电气性能,适用于便携式电子产品和小型化电路设计。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):-30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):-4.4A
导通电阻(Rds(on)):65mΩ @ Vgs = -10V;90mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TSON
PRFT7190T 具备低导通电阻的特性,这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其导通电阻在 -10V 和 -4.5V 栅极电压下分别达到 65mΩ 和 90mΩ,表明其在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能,适用于使用 5V 或更低电压供电的控制系统。
该器件采用 TSON 封装技术,具备优良的热管理和空间节省能力,适合高密度 PCB 布局。TSON 封装还具备较低的热阻,有助于快速散热,从而提升器件的稳定性和可靠性。
PRFT7190T 的栅极驱动电压范围较宽,支持 ±20V,使其在多种控制电路中具有良好的兼容性。同时,其最大漏源电压为 -30V,可满足多种中低压应用场景的需求。
此外,该 MOSFET 具备快速开关特性,可降低开关损耗,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。其连续漏极电流为 -4.4A,能够在中等功率负载下稳定运行,确保系统长期工作的可靠性。
PRFT7190T 常用于电池供电设备中的电源管理电路,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式医疗仪器等。在这些应用中,其低导通电阻和高效率的特性有助于延长电池寿命并减少发热。
此外,该器件也广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动电路中,适用于需要高效能和小型化设计的场合。
由于其具备良好的热性能和紧凑的封装设计,PRFT7190T 还可用于汽车电子系统、工业自动化设备以及智能家电中的电源控制模块。
Si2302DS, FDN304P, IRML2502, BSS84