类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：65mΩ @ Vgs = -10V；90mΩ @ Vgs = -4.5V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TSON

PRFT7190T 具备低导通电阻的特性，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻在 -10V 和 -4.5V 栅极电压下分别达到 65mΩ 和 90mΩ，表明其在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，适用于使用 5V 或更低电压供电的控制系统。
　　该器件采用 TSON 封装技术，具备优良的热管理和空间节省能力，适合高密度 PCB 布局。TSON 封装还具备较低的热阻，有助于快速散热，从而提升器件的稳定性和可靠性。
　　PRFT7190T 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，使其在多种控制电路中具有良好的兼容性。同时，其最大漏源电压为 -30V，可满足多种中低压应用场景的需求。
　　此外，该 MOSFET 具备快速开关特性，可降低开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。其连续漏极电流为 -4.4A，能够在中等功率负载下稳定运行，确保系统长期工作的可靠性。

PRFT7190T 常用于电池供电设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式医疗仪器等。在这些应用中，其低导通电阻和高效率的特性有助于延长电池寿命并减少发热。
　　此外，该器件也广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动电路中，适用于需要高效能和小型化设计的场合。
　　由于其具备良好的热性能和紧凑的封装设计，PRFT7190T 还可用于汽车电子系统、工业自动化设备以及智能家电中的电源控制模块。

Si2302DS, FDN304P, IRML2502, BSS84