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PRFT19045T 发布时间 时间:2025/9/3 8:31:24 查看 阅读:12

PRFT19045T 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效能电源管理和功率开关应用设计,适用于诸如电源供应器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子等高要求的场景。PRFT19045T 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用紧凑型 PowerFLAT 5x6 封装,便于在高密度 PCB 设计中使用,并具有良好的热性能。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压 Vds:100V
  栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id:45A @ Tc=25℃
  漏源导通电阻 Rds(on):最大 19mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:PowerFLAT 5x6
  安装方式:表面贴装

特性

PRFT19045T 具备多项优异的电气和物理特性,使其在各类功率应用中表现出色。
  首先,该 MOSFET 的低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。在 Vgs=10V 条件下,Rds(on) 最大为 19mΩ,使得其在高电流负载下依然保持较低的温升。
  其次,PRFT19045T 支持高达 45A 的连续漏极电流(Id),具备出色的电流处理能力,适用于高功率密度的设计需求。同时,其最大漏源电压(Vds)为 100V,适用于多种中压功率转换应用,如同步整流、电机控制和电源管理系统。
  此外,该器件采用 PowerFLAT 5x6 封装,具有优异的热管理性能,有助于提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。该封装形式也支持表面贴装工艺,适用于自动化生产,提高了 PCB 布局的灵活性。
  PRFT19045T 的栅极驱动电压范围为 ±20V,兼容多种常见的 MOSFET 驱动器和控制 IC。其快速开关特性可减少开关损耗,适用于高频开关电路,如 DC-DC 转换器和 PWM 控制系统。
  该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,适合在恶劣的工业和汽车环境中使用。其工作温度范围为 -55℃ 至 +175℃,满足高可靠性应用对温度变化的严苛要求。

应用

PRFT19045T 适用于多种功率电子系统,广泛用于以下应用场景:
  1. **电源管理系统**:如服务器电源、电信设备电源和工业电源模块,作为主开关或同步整流元件,提升转换效率并减少热量产生。
  2. **DC-DC 转换器**:用于高效率降压(Buck)或升压(Boost)电路中,作为主功率开关,支持高频操作以减小电感和电容体积。
  3. **负载开关和电池管理系统**:用于智能电源管理,实现对负载的快速通断控制,保护电路免受过载或短路影响。
  4. **电动工具和电动车辆**:作为电机驱动电路中的功率开关,提供高电流承载能力和快速响应。
  5. **汽车电子系统**:包括车载充电器、电池管理系统(BMS)和车身控制模块,满足汽车应用对高可靠性和耐温性能的需求。
  6. **工业自动化和电机控制**:用于伺服电机、步进电机和直流电机的控制电路中,实现高效能功率控制。

替代型号

STL190N10F7, IPW90R150P7S, IRF1404ZPBF

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