HM628512BLTTI7 是一款由 Hitachi(现为 Renesas)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为512Kbit(64K x 8)。该芯片采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要高速数据存取的工业和通信设备。
容量:512Kbit (64K x 8)
电压:3.3V
访问时间:55ns
封装:TSOP
温度范围:工业级 (-40°C 至 +85°C)
封装引脚数:54
工作模式:异步SRAM
最大工作频率:约18MHz (基于访问时间计算)
HM628512BLTTI7 采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗、高速存取和高可靠性的特点。其访问时间仅为55纳秒,适用于对响应时间要求较高的应用环境。
该芯片的异步接口设计简化了系统连接,同时其TSOP封装形式有助于节省电路板空间并提高集成度。此外,HM628512BLTTI7 支持宽温度范围操作,符合工业级标准,适合在严苛环境下使用。
在数据保持方面,SRAM不需要刷新操作,数据在供电持续的情况下不会丢失,因此在需要高速稳定存储的应用中具有优势。其高速读写能力可显著提升系统性能,尤其是在缓存和实时数据处理场景中。
该芯片广泛应用于工业控制设备、网络通信设备、数据采集系统、嵌入式系统以及需要高速缓存的微处理器系统中。此外,它也适用于便携式设备、测试仪器和自动化控制系统等场景。
CY62148EVLL-45ZXC, IS62WV5128BLL-55BIR, IDT71V416SA70B