PRF7187S 时间：2025/9/3 9:46:32 阅读：24

PRF7187S 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频应用。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流：100A
　　最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：150nC
　　功耗：200W
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

PRF7187S 具备多项优良特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这使得该器件非常适合用于高电流应用，如同步整流和 DC-DC 转换器。
　　其次，PRF7187S 的最大漏极电流可达 100A，能够承受较大的负载电流，适用于大功率开关应用。此外，其最大漏源电压为 30V，适用于中低压电源管理系统。
　　该器件的栅极电荷较低（150nC），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。因此，PRF7187S 在高频开关应用中具有良好的动态响应能力。
　　此外，PRF7187S 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计。该封装还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度 PCB 布局。
　　最后，PRF7187S 的最大功耗为 200W，具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。这使得该器件在工业控制、汽车电子和电源管理系统中具有广泛的应用前景。