时间：2025/9/3 9:46:32
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PRF7187S 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频应用。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流：100A
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：150nC
功耗：200W
封装类型：PowerFLAT 5x6
PRF7187S 具备多项优良特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这使得该器件非常适合用于高电流应用，如同步整流和 DC-DC 转换器。
其次，PRF7187S 的最大漏极电流可达 100A，能够承受较大的负载电流，适用于大功率开关应用。此外，其最大漏源电压为 30V，适用于中低压电源管理系统。
该器件的栅极电荷较低（150nC），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。因此，PRF7187S 在高频开关应用中具有良好的动态响应能力。
此外，PRF7187S 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计。该封装还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度 PCB 布局。
最后，PRF7187S 的最大功耗为 200W，具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。这使得该器件在工业控制、汽车电子和电源管理系统中具有广泛的应用前景。
PRF7187S 适用于多种功率电子应用，包括但不限于：同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制以及汽车电子系统等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能功率转换和管理的理想选择。
IRF1405, SiR100DP, STP100N3LL
